| 1 | 使延伸后的粘合片上的物体的面剥离力低于延伸前的粘合片上的物体的面剥离力。 |
| 2 | 粘合层在其表面具有凹凸，且在23℃下具有0.001MPa以上且1.0MPa以下的复剪切弹性模量。 |
| 3 | 在80℃下放置168小时后的粘着剂层对浮法玻璃的粘着力为18N/25mm以下。明提供一种窗膜，其具有能够兼顾贴附时的强粘着性与经过规定期间后的再剥离性的粘着剂层。 |
| 4 | 提供生产性优异、抑制了磨削屑的附着量的工件加工用粘合片及其制造方法、以及使用上述工件加工用粘合片的电子器件装置的制造方法。 |
| 5 | 在活性能量射线照射前对工件的活性面显示良好的密合性，同时在活性能量射线照射后能够进行良好的工件的分离的工件加工用片 |
| 6 | 即使对于工件的活性面也能够抑制密合性过度上升且能够实现良好的工件加工的工件加工用片。其具备基材及层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层。 |
| 7 | 粘着剂优选为丙烯酸类粘着剂、特别优选含有(甲基)丙烯酸酯聚合物通过交联剂交联而成的交联物。由此，可实现兼具粘着剂及再操作性。 |
| 8 | 使该能量射线交联性粘合剂组合物进行能量射线交联而成的交联粘合剂及其制造方法、以及使用了该交联粘合剂的粘合片及其制造方法。 |
| 9 | 含有：(A)具有能量射线交联性的丙烯酸类聚合物、以及(B)实质上不包含自由基反应性的不饱和双键、且重均分子量(Mw)为280000以下的除上述成分(A)以外的丙烯酸类聚合物。 |
| 10 | 层叠体通过对上述树脂膜与上述能量射线交联性粘合剂组合物层的层叠体进行上述能量射线照射而形成。 |
| 11 | 具有基材与配置于基材的一个主面上的粘着剂层的窗膜，其中，在23℃下持续施加3000Pa的剪切应力1200秒后的粘着剂层的蠕变柔量为200(1/MPa)以下。 |
| 12 | 具备良好地追随凹凸、同时耐起泡性优异且不会产生光学不均的粘着剂层的粘着片。 |
| 13 | 使用了该粘着片1的柔性装置在自弯曲状态释放后难以留下弯曲痕迹。蠕变变化率(%)=(1‑C2/C1)×100…(I)。 |
| 14 | 表面粗糙度变化率(％)＝(1‑加压后Sa/加压前Sa)×100…(1)。 |
| 15 | 导热性粘着剂组合物，其含有粘着性树脂、具有二维结构的石墨烯及填料。 |
| 16 | 能够发挥对被粘物的良好的固定性，同时能够实现粘着剂层的再循环。 |
| 17 | 有机硅类粘着剂，能够良好地将剥离片剥离。 |
| 18 | 活性能量射线固化后的上述粘着剂的凝胶分率优选为60%以上且99%以下。根据上述粘着片1，可谋求兼顾内聚力与密合性。 |
| 19 | 该粘着片1适合贴附于具有多个发光体的构件。 |
| 20 | 粘着片的耐候性及耐起泡性优异。 |
| 21 | 该工件加工用片，即使在长时间暴露于荧光灯下时，也能充分地维持粘着力。 |
| 22 | 高频介电加热用粘接剂，测定的上述高频介电加热用粘接剂(1A)的全光线透过率为50％以上。 |
| 23 | 具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层的工件加工用片，所述粘着剂层由含有受阻胺类稳定剂的活性能量射线固化性粘着剂构成。 |
| 24 | 该固化性粘接片满足下述要素(I)。要素(I)：以剥离角度180°、剥离速度300mm/分钟从上述固化性粘接剂层剥离第1剥离膜时的剥离力(R1)为250mN/50mm以下。 |
| 25 | 该工件加工用片即使在进行了加热处理的情况下，仍能够容易地进行带保护膜的工件的分离。 |
| 26 | 该固化性粘接片满足下述要素(Ia)。·要素(Ia)：第2剥离膜的厚度(T2)与第1剥离膜的厚度(T1)的厚度比(T2)/(T1)为1.05以上。 |
| 27 | 含有具有羟基的苯氧基树脂(A)和在常温下为液体的含环状醚基化合物(B)的粘接剂组合物形成，凝胶分率为15％以上。 |
| 28 | 该方法是以上述粘合剂层作为粘贴面将上述粘合片粘贴于作为被粘附物(W)的一面的面(Wα)后使其部分膨胀的方法，该方法包括工序1及2。 |
| 29 | 半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。 |
| 30 | 半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是含有树脂成分和经过了疏水化处理的二氧化硅的层。 |
| 31 | 提供固化性粘接剂组合物，其包含：具有反应性官能团的粘结剂树脂(A)；具有乙烯基、数均分子量为1500以上且小于5000的聚苯醚树脂(B)；以及具有2个以上在末端具有双键的不饱和烃基的多官能性化合物(C)。 |
| 32 | 本发明提供一种固化性粘接剂组合物、其固化物和固化物的制造方法 |
| 33 | 使用了该能量射线交联性粘合剂组合物的粘合片、使该能量射线交联性粘合剂组合物发生能量射线交联而成的交联粘合剂及其制造方法、以及使用了该交联粘合剂的粘合片及其制造方法， |
| 34 | 相对于所述原料组合物的有效成分总量含有0.1质量％以上的(B)成分，所述固化性粘接剂层的凝胶分数为10质量％以上。 |
| 35 | 通过固化性粘接剂组合物固化，提供在23℃、频率1GHz下的介电损耗角正切低于0.0050的固化物。 |
| 36 | 所述导电性基材在该导电性基材的面扩展方向上实质上不具有延伸露出的伸出部，所述中间层的至少一部分为包含导电性粘合剂层的结构。 |
| 37 | 通过特定的压痕深度的变化率的测定方法测定的压痕深度的变化率为60％以上。 |
| 38 | 在剥离2秒后，对距离上述ITO‑PET膜的露出面50px的位置的静电电位进行测定而得到的剥离静电压为0.15kV以下。 |
| 39 | 导电性基材在该导电性基材的所述导电层侧与具有电剥离性的第1粘合剂层层叠。 |
| 40 | 粘着剂层(12)与硅镜面晶圆之间的粘着力(X0)为5000mN/25mm以下，以130℃对粘着剂层(12)进行加热、使其进行能量射线固化时，粘着剂层(12)的能量射线固化物与硅镜面晶圆之间的粘着力(X1)为400mN/25mm以下。 |
| 41 | 用于光学用途的粘着剂，所述粘着剂包含具有大于2.5且为3.0以下的修饰度的修饰环糊精，所述粘着剂的凝胶分率为1.0％以上。该粘着剂即使在高温下其耐久性也优异。 |
| 42 | 该热膨胀性粘接剂组合物的热膨胀性粘接片，所述热膨胀性粘接剂组合物含有热固性树脂(A)、热膨胀性粒子(B)及无机填料(C)，上述无机填料(C)的平均粒径(D＆lt;subgt;50＆lt;/subgt;)为200nm以下。 |
| 43 | 以10m/分钟的剥离速度从粘着剂层上剥离时的第一剥离片的剥离力比以10m/分钟的剥离速度从粘着剂层上剥离时的第二剥离片的剥离力大且剥离力差大于24mN/25mm，以2.4m/分钟的剥离速度从粘着剂层上剥离时的第一剥离片的剥离力为150mN/25mm以下。 |
| 44 | 样品的距法线15°处的亮度相对于所述样品的正面0°处的亮度的亮度比为0.003以上，去偏振度为2.20％以下。 |
| 45 | 优选该(甲基)丙烯酸酯聚合物含有含芳香环单体作为构成该聚合物的单体单元。 |
| 46 | 提供具有抗静电性且拾取性优异且粘着剂层与基材的密合性优异的工件加工用片。 |
| 47 | 半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是由含有有机硅化合物的表面涂层形成用组合物形成的层。 |
| 48 | 半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。 |
| 49 | 在硅晶圆的#2000抛光面上贴附保护膜形成膜1小时后，该保护膜形成膜对硅晶圆的粘着力在23℃下为20N/25mm以下。 |
| 50 | 所述保护膜形成膜的400～700nm整个波长范围的光的反射率为20％以上。 |
| 51 | 按照JIS L 1094:2014测定的所述保护膜形成膜的最大静电压为1000V以下、且静电压的半衰期为30秒以下。 |
| 52 | 所述基材由选自含有聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丁二酸丁二醇酯和聚乳酸中的至少一种材料构成。高酸值聚酯树脂的玻璃化转变温度优选为20℃以上85℃以下。 |
| 53 | 从23℃升温至130℃时的每1℃的平均位移量(A23→130)比从130℃缓慢冷却至50℃时的每1℃的平均位移量的绝对值(|B130→50|)小。 |
| 54 | 将基材(11)沿MD方向拉伸而使其伸长50％时的拉伸应力与将基材(11)沿其CD方向拉伸而使其伸长50％时的拉伸应力之比(R50％)为1.3以下。 |
| 55 | 所述粘接糊在低温下加热而得到的固化物的粘接性优异，并且即使涂布在被涂布物上后经过长时间后，也可良好地安装半导体元件。 |
| 56 | 本发明提供一种能够兼顾片的拉出不良与隔着基材观察时的激光打标的辨认性的支撑片、具备该支撑片与保护膜形成膜的保护膜形成用复合片、以及半导体装置等装置的制造方法。 |
