| 1 | 一种GaN基晶体管及其制作方法和应用 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 2 | 一种GaN晶体管结构及其制备方法 | 安徽大学 |
| 3 | GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法 | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
| 4 | 具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法 | 英飞凌科技加拿大公司 |
| 5 | 基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构 | 西安电子科技大学 |
| 6 | 具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管 | 北京大学 |
| 7 | 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 湖北九峰山实验室 |
| 8 | 一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管 | 东南大学 |
| 9 | 基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 10 | p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法 | 东南大学;无锡华润上华科技有限公司 |
| 11 | 具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法 | 英飞凌科技加拿大公司 |
| 12 | 常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备 | 株式会社POWDEC |
| 13 | GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 京东方华灿光电（苏州）有限公司 |
| 14 | GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 京东方华灿光电（苏州）有限公司 |
| 15 | 一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 16 | 一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 17 | 一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 18 | 一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 19 | 具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法 | 重庆邮电大学 |
| 20 | 一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 21 | 一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管 | 西安交通大学 |
| 22 | 具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯 | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 23 | 一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 24 | 具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 25 | 具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管 | 电子科技大学 |
| 26 | 一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 27 | 一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 北京大学 |
| 28 | 一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管 | 长沙理工大学 |
| 29 | 一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法 | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 30 | 一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管 | 江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 31 | 具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法 | 中国科学院半导体研究所 |
| 32 | 一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 33 | 基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 34 | 一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 35 | 一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 36 | 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 37 | 一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 38 | 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 重庆邮电大学 |
| 39 | p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 40 | 一种高线性度GaN晶体管及制备方法 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 41 | 具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 42 | 一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法 | 上海格晶半导体有限公司 |
| 43 | 降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法 | 南京大学 |
| 44 | 一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 中国空间技术研究院 |
| 45 | 一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法 | 上海格晶半导体有限公司 |
| 46 | 一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 47 | 一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 48 | 提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管 | 中国科学院半导体研究所 |
| 49 | GaN衬底晶体管器件及其制备方法 | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 50 | 具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管 | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 51 | 一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 52 | GaN基增强型功率晶体管 | 中国科学院微电子研究所 |
| 53 | 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 | 重庆邮电大学 |
| 54 | 结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 55 | GaN基增强型功率晶体管的制备方法 | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 56 | 基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 57 | 基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | 西安电子科技大学 |
| 58 | 基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 59 | GaN场效应晶体管 | 中国科学院半导体研究所 |
| 60 | 一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法 | 深圳大学 |
| 61 | 基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法 | 西安电子科技大学 |
| 62 | GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法 | 中国科学院微电子研究所 |
