二次电池系列技术配方
             
《铅酸蓄电池制造技术工艺配方精选汇编》
New Technology Of Graphite Materials
国际新技术资料网LOGO
国际新技术资料网 最新推出
  • 铅酸蓄电池高新技术!产品应用,产品配方 生产工艺技术。技术新,环保,涉及面广。内容涵盖技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息!!!   想要高技术配方! 想生产高性能!想降低成本! 想创业转型! 请订购2021新版 《铅酸蓄电池制造技术工艺配方精选汇编》!


2024新版《铅酸蓄电池技术工艺配方精选汇编》

       目前我国铅酸蓄电池使用量第一位是动力电池市场,主要是电动自行车和电动三轮车市场;第二位是汽车市场;第三位是通信、不间断电源用蓄电池。未来铅酸蓄电池的主市场在新能源储能领域和新能源电动车领域,随着储能电站、智能电网以及低速电动车、混合动力车以及起停汽车的广泛应用,上述铅酸蓄电池优势会给铅酸蓄电池产业带来巨大的市场。

       为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供的我国及国外最新耐火材料技术制造工艺配方专利汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造 资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试,对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。        

       本篇汇编资料分为精装合订本和光盘版,内容相同,用户可根据自己需求购买。现货发行,欢迎新老客户选购。特快专递邮寄。资料分为上、下两册,A4纸大,共782页现货发行,欢迎订购
     


地    址:北京市中国公安大学南门中企财写字楼B座415 (100038)
电    话:010-63488305  
手    机:13141225688 13641360810 联系人:梅 兰 (女士)
http://www.hengzhixin.cn
Email: heng_zhi_xin@163.com      QQ:3137420280

    

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

0.00
1480.00
数量:
立即购买
加入购物车
  

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所


购买理由

            大力发展高性能、高端产品,提高企业核心竞争力    

     

      铅酸蓄电池在理论研究方面,在产品种类及品种、产品电气性能等方面都得到了长足的进步,不论是在交通、通信、电力、军事还是在航海、航空各个经济领域,铅酸蓄电池都起到了不可缺少的重要作用。国家将加大财政资金支持力度,中央财政产业振兴和技术改造专项在项目评审及计划下达过程中将对铅再生循环利用(铅酸蓄电池回收再利用)等项目予以优先考虑;中央财政清洁生产专项资金加大对铅酸蓄电池、再生铅清洁生产技术项目的支持;淘汰落后产能中央财政奖励资金支持淘汰铅冶炼、铅酸蓄电池、再生铅落后产能。地方工业和信息化主管部门充分利用节能减排、技术改造、中小企业等专项资金对专项行动给予支持。

                     沟通企业与科研院校的技术合作的桥梁、掌握国内外新技术,新工艺动向、是投资新产品决策依据。


           1)通过这些技术资料您可以充分掌握国内外电池制造行业最优秀的核心技术配方和工艺,您可以:1、提高产品质量,改进配方,降低生产成本,

            2、解决生产中的技术问题、应用技术问题;3、掌握科研院校最新技术成果。开阔产品开发思路,产学研对接,投资新产品;  4、掌握同行业竞争

            对手的新产品策略,产品技术水平,市场核心产品配方

        

          (2)通过这些技术资料,您可以及时掌握国内科研院校、研究所、生产企业的最新技术成果。可以有针对性地与优秀技术成果的研制院校、科研单位建立

           技术合作,共赢发展。国家也鼓励高等院校、科研院所科研人员在完成所在单位工作任务的前提下,以专职、兼职或受聘的形式在转化基地开展中试、试

           制、实用推广等成果产业化活动。

     

          (3)电池制造及相关研制企业单位可以通过这些技术资料,了解竞争对手的技术水平、跟踪最新技术发展动向、提高研发起点、加快产品升级和防范知识

           产权风险,为自主创新、技术改造、产业或行业标准制定和实施“走出去”战略发挥重要作用。也是新产品引进、投资决策的重要依据。


国际新技术资料网

北京恒志信科​​​​技发展有限公​司


      我们的优势    

      国际新技术资料网拥有一支工作态度认真、业务基础扎实、团结协作意识强、专业技术水平过硬的员工队伍。我们以质量、信誉、完善的售后服务为准则,以优质的服务、雄厚的技术力量、先进的情报手段服务于广大客户。公司和自2000年成立以来,与有关科研单位、报社、信息中心共同合作为近万家企业单位、科研院校提供了有效的专题资料服务,得到了广大的企业家、科研工作者的好评

     

     国际新技术资料网由北京恒志信科技发展有限责任公司组建,是专门致力于企业经济信息、科技信息开发、加工整理、市场调查和信息传播的专业化网站,网站发展宗旨是:致力于我国信息产业的建设,及时向企业、科研部门提供最新的国际最领先技术的科技信息情报,有效服务于企业新产品开发、可行性论证和推广。


      们的业

       网站主要提供包括美国、日本、韩国、欧洲各国的专利技术资料、世界排名企业最新技术情报资料收集整理、数据加工、资料翻译,接受企业、科研院所委托专题情报服务。网站主要栏目包括世界科技发展热点的各类先进的符合国际国家标准的新材料石油化工助剂、橡胶材料助剂,建筑涂料,粘合剂, 肥料配方,金刚石砂轮,金刚石锯片,磁材,金属表面处理,水处理及水处理剂等新技术工艺配方
发展无止境,创新无止境。国际新技术资料网以不断追求创新和技术进步为动力,以完善质量保证和良好服务为根本,以诚实、信誉为宗旨,竭诚与各界朋友、新老客户诚信合作,共创辉煌!

《石墨材料新技术》

深受读者欢迎新技术刊物