发光二极管（LED）的改进技术主要包括：

（一）提高发光效率‌：通过采用新型半导体材料和优化器件结构，可以有效降低光衰，提升光效。例如，利用量子阱结构设计，能够减少光在材料内部的吸收和散射，使得更多的光能够有效输出‌。

（二）增强稳定性‌：新型封装材料和散热技术的应用，显著提高了LED的耐高温和耐候性能，减少光衰和色衰。同时，通过优化电路设计，降低LED的工作温度，进一步提升其稳定性‌。

（三）延长使用寿命‌：改进材料配方和工艺流程，减少了LED在工作过程中的老化现象。此外，智能控制技术的应用使得LED能够根据环境温度和工作状态自动调整电流和电压，从而延长其使用寿命‌。

（四）创新应用‌：随着LED技术的不断改进，其在照明、显示以及医疗、农业等领域的应用也越来越广泛。例如，柔性LED显示屏、植物照明LED等新兴技术的应用，为LED产业带来了新的增长点‌。

（五）优化半导体层设计‌：通过优化半导体层外周表面的性能，提升显示设备的整体效果。这种设计使得半导体层的外周表面在不同区域间的周长各不相同，从而实现更好的电流分布与光输出效率‌。

          本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供发光二极管技术制造工艺汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、、产品性能测试，对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。

【资料内容】生产工艺、配方
【出品单位】国际新技术资料网
【资料页数】809页
【项目数量】60项
【资料合订本】1680元(上、下册)
【资料光盘版】1480元（PDF文档）

项目

1   一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法

     包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖顶部膜层，所述本体的侧部覆盖侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面和/或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到具有全包式DBR结构的微型发光二极管。

2   一种深紫外发光二极管及其制备方法、芯片

     制备方法包括：在衬底上生长缓冲层、N?AlGaN层，刻蚀得到多个台面结构；生长量子阱结构、P?AlGaN层、P?GaN层；制备第一掩膜结构；去除未被第一掩膜结构覆盖的P?GaN层、P?AlGaN层和量子阱结构；制备第二掩膜结构；制备N?金属电极；去除N?金属电极以及第二掩膜结构；制备第三掩膜结构；生长P?金属电极，去除P?金属电极以及第三掩膜结构，退火后得到深紫外发光二极管。该制备方法能够有效提高光提取效率，提高光输出功率，避免对于高掺杂透明P型层的依赖，有效提高深紫外发光二极管的整体性能，降低生产成本。

3   一种纳米发光二极管及其制备方法

     制备方法包括在衬底上生长缓冲层；刻蚀缓冲层，形成第一台面结构；形成多个第二台面结构；形成第三台面结构；形成第四台面结构；制备第一图形化掩膜结构；刻蚀第一台面结构；沉积N?金属电极；去除第一图形化掩膜结构及其表面的N?金属电极；制备第二图形化掩膜结构；沉积P?金属电极；去除第二图形化掩膜结构及其表面的P?金属电极，以得到纳米发光二极管。该制备方法能够解决微型发光二极管制造过程中的不均匀性和不一致性的问题，有效提高生产效率，无需采用精密对准工艺，减少了生产过程中的设备成本和生产周期，减少对设备的依赖，可以实现规模化生产。

4   一种纳米尺度可见光发光二极管及其制备方法

     制备方法包括：在衬底上生长III族氮化物半导体外延层；在III族氮化物半导体外延层上沉积第一刻蚀掩模层；在第一刻蚀掩模层上制备具有周期性排列图案的胶层；在第一刻蚀掩模层上形成图案化的第二刻蚀掩模层；刻蚀第一刻蚀掩模层形成图案化的第一刻蚀掩模层；刻蚀III族氮化物半导体外延层形成图形化的III族氮化物半导体纳米柱阵列模板；在III族氮化物半导体纳米柱阵列模板上生长LED结构，得到纳米尺度可见光发光二极管。该方法使在纳米柱阵列模板上生长的有源区受到的强压应变得到部分弛豫，增加了含In量子限制层中In的并入，实现长波长发光；同时提高辐射复合效率，增加了发光强度。

5   硅基锗铅红外发光二极管及其制备方法

     涉及硅基光电技术领域。硅基锗铅红外发光二极管，包括：硅衬底，设置有N区和P区，所述N区和所述P区分别位于所述硅衬底表面的不同区域且之间存在间隔；锗铅纳米片，设置在所述N区和所述P区之间，并与所述N区和所述P区相接触；氧化硅层，设置在具有所述锗铅纳米片的所述硅衬底上，并在所述氧化硅层上开设有窗口，所述窗口分别与所述N区和所述P区相接触；电极，设置在所述窗口内。

6   一种改善漏电的发光二极管及其制备方法

     属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的凹槽；在无氮气和氨气的气氛下，对所述外延层进行退火。能提升改善水汽侵入有源层致使发光二极管漏电失效的问题。

7   一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置

     外延结构包括依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层及第二导电类型半导体层，其中，有源层和第二导电类型半导体层依次覆盖第一导电类型半导体层的至少部分侧壁。该外延结构特征减少外延结构侧壁处的缺陷，减少外延结构的非辐射复合，提高外延结构的发光效率。另外，有源层及第二导电类型半导体层同时还覆盖第一导电类型半导体层的侧壁，由此在侧壁处也能形成辐射复合区，进一步提高出光效率。在制造上述发光二极管时，将生长衬底的第一表面形成为图形化的表面，图形化结构包括凸起结构以及与凸起结构互补的凹陷区，在生长衬底上生长外延结构之后，去除生长衬底以及形成在凹陷区域的外延结构，保留下来的凸起结构上方的外延结构形成发光二极管，减少侧壁缺陷，减少这些缺陷导致的非辐射复合，由此提高发光二极管的发光效率。

8   发光二极管制备方法

     包括自下而上依次设置的透明顶电极层、稀土离子掺杂铁电薄膜层、透明底电极层及GaN基LED衬底，所述透明底电极层为所述GaN基LED的p型电极，通过调节所述透明顶电极层与所述GaN基LED的p型电极之间的电压以调节所述稀土离子掺杂铁电薄膜层的极化状态，以改变所述发光二极管的发光颜色，技术方案中，仅需引入一个稀土离子掺杂铁电薄膜层即可实现GaN基LED发光器件的动态调控，控制方式简单。

9   一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法

     包括：提供一衬底，并在衬底表面沉积外延层；对外延层表面部分区域进行刻蚀，形成N型半导体层导电台阶，在外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层；在外延层表面制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀形成通孔；在外延层表面涂布负性光刻胶，采用分区光罩进行曝光、显影处理，在负性光刻胶内形成两处尺寸不同的开孔区域，依次在两开孔区域沉积导电金属，以在大尺寸开孔区域形成金属反射层，在小尺寸开孔区域形成横向导电层；最后在外延层表面制备绝缘钝化层和焊盘层。本申请制备的倒装发光二极管，金属层反射率高，产品成本低。

10 高效发光二极管及其制备方法

     包括在衬底上依次生长AlN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、P型半导体层、P型欧姆接触层；在生长多量子阱层时，周期性交替生长量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为组合结构，组合结构包括BInGaN层?BGaN层?BN层?GaN层，减少载流子在缺陷处进行非辐射复合发光的机率，从而提高发光二极管的发光效率。

11 一种提高亮度的发光二极管及其制备方法

     包括：外延层、第一绝缘层和金属反射层，所述第一绝缘层和所述金属反射层依次层叠在所述外延层的表面上，所述第一绝缘层至少覆盖所述外延层的表面，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述金属反射层通过所述第一通孔与所述外延层电连接；所述第一绝缘层包括依次层叠在所述外延层上的第一反光层和第一反射层，所述第一反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。实施例能改善发光二极管的反射效果，提升发光亮度。

12 一种能够调控发光二极管光束形貌的方法

     包括如下步骤：在衬底上制作外延层；加工外延层制作欧姆接触，定义光束形貌，借助对应的对准标记，对衬底层对应的区域进行激光蚀刻，得到对应的图形化结构，从而得到具有符合预设光束形貌的芯片。能够以简单的工艺获得出光面光束形貌可调的发光二极管芯片，制作成本低，且能够适用于不同衬底结构的发光二极管。

13 一种减少晶格适配的发光二极管制作方法

     包括衬底、形成于所述衬底上的BNO缓冲层、形成于所述BNO缓冲层上的过渡层以及形成于所述过渡层上的GaN外延层。利用BNO缓冲层和过渡层减少衬底与GaN外延层的晶格适配，进而减小初始应力，降低材料生长过程中的错位和缺陷密度，提高GaN外延层生长的晶体质量，从而提高了发光二极管的量子效率、减少了漏电通道、提升了抗ESD能力。

14 一种降低电压的发光二极管及其制备方法

     包括：外延层和第一电极，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一半导体层的周边边缘，所述第二凹槽位于所述第一半导体层的中间区域，所述第一电极至少位于所述第一凹槽和所述第二凹槽内，且与所述第一半导体层电连接。能降低发光二极管的电压且不影响发光二极管的亮度。

15 一种提高发光角度的倒装发光二极管及其制备方法

     包括依次层叠的透明衬底、填平层、键合层和外延层；透明衬底的第一表面具有多个第一图形结构，透明衬底的第二表面具有多个第二图形结构，第一表面和第二表面为透明衬底的相反的两表面；填平层覆盖第一表面。能提高倒装LED的发光角度和出光效率。

16 一种出光增强型反极性AlGaInP发光二极管及其制备方法

     通过对光刻胶的厚度及坚膜温度及ICP刻蚀条件进行优化调整，在刻蚀过程中实现发光区外扩，通过后续AlGaInP粗化实现亮度提升，该方法只需要AlGaInP粗化和分段刻蚀即可实现三种工艺的效果，大幅减少工艺流程，提升生产效率，降低成本。

17 一种GaN发光二极管制备方法

     包括如下步骤：S1、图形化蓝宝石衬底上制作外延，包含N?GAN、量子井、P?GAN、GAN超强电流扩展层；S2、制作MESA蚀刻出N型区域；S3、制作ISO将切割道中间部分蚀刻到图形化蓝宝石衬底；S4、制作非金属反射层：图形化网状分布、岛状分布、金属导电反射层通过镂空孔洞和GAN超强电流扩展层联通，实现金属导电反射层和GAN联通。蓝宝石出光面使用图形化搭配干法蚀刻方案粗化，解决研磨粗化的芯片断裂隐患。

18 一种具有倾斜侧壁和混介质层ODR的深紫外发光二极管及其制备方法

     该发光二极管外延结构由下至上依次包括衬底、AlN缓冲层、N?型AlGaN层；其中，N?型AlGaN层分为两部分，第二部分为截锥；截锥上依次覆盖有多量子阱层、P?型电子阻挡层、P?型AlGaN层、P?型GaN层、P?型欧姆接触层；台面结构的侧壁，以及延展到周边的N?型AlGaN层的第一部分的上表面，覆盖有一层低折射率介质层；低折射率介质层外部覆盖有高折射率介质层、金属反射镜电极。可以减少金属反射镜的吸收，反射率增加，从而提高深紫外LED的TM极性光的光提取效率。河北工业大学

19 一种发光二极管的制备方法、LED外延结构及其制备方法

     其中LED外延结构从下至上依次包括：衬底、AlN缓冲层、GaN缓冲层、激光剥离层、非故意掺杂层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，激光剥离层从下至上依次包括激光反应层、激光消耗层和激光截止层，且激光消耗层为掺杂的结构层。通过激光剥离层的设置，且将其中的激光消耗层设置为掺杂的结构层，可以提升衬底剥离良率，改善剥离界面，同时还可以提高出光效率和亮度。

20 一种Micro发光二极管及其制造方法

     其中，Micro发光二极管制造方法包括以下步骤：提供第一基板，在第一基板上生长红光外延片，在红光外延片上生长第一结合层；提供第二基板，在第二基板上生长绿光外延片，在绿光外延片上生长第二结合层；提供第三基板，在第三基板上生长蓝光外延片，在蓝光外延片上生长第三结合层；提供第四基板，将第三结合层结合至第四基板，将第二结合层结合至蓝光外延片，将第一结合层结合至绿光外延片，形成RGB外延片。将三种发光层垂直堆叠在一起，组合为一个整体做成微小单颗芯片后激光剥离，只需一次巨量转移，良率高。

21 一种线偏振出光的发光二极管及其制作方法

     在LED器件出光面(上表面)设置介质光栅过渡层和纳米双层金属光栅，实现LED器件的偏振出光，在LED器件下表面设置金属光栅超表面，将上表面的介质光栅过渡层和纳米双层金属光栅反射回的TE偏振光分量转换成TM偏振光分量，进一步从器件出光面(上表面)辐射出去，从而提高了偏振光的有效利用率，提高器件偏振出光效率。

22 一种改善发光效率的发光二极管及其制备方法

     包括依次层叠的n型层、有源层和p型层，所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子阱层包括至少四个子层，所述量子阱层的各子层均为InGaN层，所述量子阱层中相邻的两个子层的In组分的含量不同。能提升有源层的内量子效率。

23 一种超晶格结构电极接触层的AlGaN发光二极管及其制备方法

     不同于传统的利用p?GaN材料作为电极接触层，使用垂直侧壁结构的发光二极管，利用多量子阱层、电子阻挡层、超晶格层形成的倾斜面结构，避免了传统垂直侧壁结构对于侧向发射的TM偏振发光难以收集的问题；利用AlGaN超晶格层作为器件的p型电极接触层，避免了p?GaN层对于紫外光的吸收以及高反射电极欧姆接触特性不好的问题。

24 一种发光二极管及发光二极管的制作方法

     包括：衬底，具有相对设置的上表面和下表面；半导体外延叠层，包含衬底的上表面之上的第一半导体层、活性层和第二半导体层；第一侧壁，形成于所述衬底的边缘，所述第一侧壁具有粗化结构，粗化结构包括凸起；第二侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，不具有粗化结构；台面，形成于所述衬底上表面，且不与半导体外延叠层重叠的部分。发光二极管粗化后可以得到粗糙的第一侧壁，平坦的第二侧壁以及台面，可以提升半导体发光二极管的可靠性。

25 一种发光二极管、发光二极管的制造方法及装置

     包括：驱动板和若干个发光单元，若干个发光单元分别设置在驱动板上，且若干个发光单元相互通过单元隔离层间隔设置；发光单元包括：N型电极、LED发光层、P型电极和介质层；N型电极、LED发光层、P型电极和介质层从下至上依次叠加设置，介质层内设有刻蚀区，刻蚀区添加颜色转换材料，形成颜色转换层。在驱动板设有若干个间隔设置的发光单元，发光单元的介质层设有刻蚀区，刻蚀区设有颜色转换材料，将颜色转换层被限制在牺牲层结构内，光学隔离贯穿颜色转换层和发光单元间的透明介质，可以将发光单元颜色转换完全隔离，从而减少发光单元及颜色转换层的光串扰。

26 一种微发光二极管的制备方法、微发光二极管和显示设备

     该方法包括：在衬底的一表面上制备半导体外延层，半导体外延层包括层叠设置的N型半导体层、半导体发光层以及P型半导体层；对半导体外延层进行刻蚀，得到多个隔离槽；对半导体外延层的外侧进行离子注入，形成隔离层；对隔离层的外侧进行湿法腐蚀，得到反射隔离层；反射隔离层具有与半导体外延层贴合的第一侧面以及与第一侧面相背设置的第二侧面，入射至第二侧面的光满足全反射条件。能够在有效发光面积不变的前提下降低刻蚀损伤对发光效率的影响，既可实现具有更好电流注入效果的共P/N型电极设计，也可实现对像素单独寻址的电极设计；而可降低侧壁出光比例，提高对比度。

27 一种发光二极管及其制作方法

     由于第二非掺杂半导体层中形成有空心柱，在第二非掺杂半导体层上生长后续结构层时，由空心柱来释放生长过程中产生的应力，降低了发光二极管在制作过程中形成位错缺陷的几率，减小了在第一方向上的位错缺陷的密度，进而，改善了由于位错缺陷而出现的漏电通道和非辐射复合中心的问题，提高了发光二极管的性能，且提高了发光二极管的制作良率。

28 一种盐基碳量子点发光二极管的制备方法

     其采用L?抗坏血酸与碳酰胺为原料制备碳量子点，以碳量子点做发光材料，并按照实际需求制备不同形状的盐基结构，将碳量子点导入氯化钠阵列基层，制成发光二极管，所制备的碳量子点发光层发光性能优良，热稳定性高，制备方法工艺简单，从制备发光材料到发光二极管，可形成连续的工艺流程，易于推广应用。

29 一种GaN发光二极管制作方法

     依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长促进层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长促进层依次包括生长Ga₂O₃渐变层、生长MgO层和Mg掺杂InAlN层的步骤。可以提高LED的发光效率，并提高LED的抗静电能力，并减少波长蓝移，提高波长均匀性。

30 一种微型发光二极管背光的制造方法

     一种半导体设备，方法包括：提供透明膜片和玻璃基板。在透明膜片上利用一次工艺形成油墨层，油墨层的材料为热固型油墨。利用激光镂空工艺刻蚀油墨层，形成多个开口，以油墨层朝向玻璃基板的方向贴合透明膜片和玻璃基板，去除透明膜片，在开口内贴装微型发光二极管。由于形成油墨以及形成多个开口是在透明膜片上，油墨此时不和玻璃基板接触，并且是利用激光镂空工艺刻蚀油墨层，而不是利用曝光显影的方式，因此不会导致在形成开口的过程中油墨颗粒残留在开口的问题，避免由于油墨颗粒影响微型发光二极管的显示。

31 一种发光二极管的制作方法及发光二极管制备方法

     制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依次形成的缓冲层、n型GaN层、有源区、AlGaN阻挡层以及p型GaN层；刻蚀所述外延结构至暴露所述n型GaN层，形成侧壁均为GaN晶体M面的台面结构；采用四甲基氢氧化铵溶液对所述台面结构的侧壁进行腐蚀；钝化处理并在所述外延结构上形成电极。制作方法及发光二极管，随着尺寸的减小，效率能够提升，因而能够克服尺寸效应，为制造更加高效的、更小尺寸的微型发光二极管提供了新的道路。

32 微型半导体发光二极管(LED)结构(10)制备方法

     其包括：第一导电类型的第一半导体层(1)；布置在第一半导体层(1)上的第二导电类型的第二半导体层(2)；有源层序列(4)，其包括面向第一半导体层(1)的第一导电类型的第一边缘层(41)和背离第一半导体层(1)的第二导电类型的第二边缘层(42)；以及至少布置在有源层序列(4)上的第二导电类型的第三半导体层(3)。第一导电类型和第二导电类型具有相反的掺杂。第二半导体层(2)具有至少一个朝向第一半导体层(1)穿透第二半导体层(2)的窗口(21)。第一半导体层(1)在窗口(21)的区域中具有凹部(11)。有源层序列(4)至少布置在凹部(11)中。第一边缘层(41)在凹部(11)中电连接至第一半导体层(1)。第三半导体层(3)至少在窗口(21)的区域中布置在有源层序列(4)上。第二边缘层(42)电连接至第三半导体层(3)。艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司

33 具有倾斜光栅出光层的倒装红光发光二极管及制备方法

     包括依次层叠设置的p型电极、金属反射层、p型电流扩展层、p型限制层、多量子阱有源区、n型限制层、n型接触层和n型电极，所述n型电极部分覆盖于所述n型接触层的表面，所述倒装红光发光二极管还包括倾斜光栅出光层，所述倾斜光栅出光层倾斜设置于所述n型接触层所述n型电极未覆盖的表面。通过在p型电流扩展层表面蒸镀高反射率金属反射层来替代传统红光发光二极管中的布拉格反射器和永久衬底，并通过在n型接触层上制备一倾斜光栅出光层，有效提高了倒装红光发光二极管内部的光提取效率。

34 一种带角度的小尺寸白色发光二极管的制备方法

     具体步骤如下：S1：采用固晶工艺在基板正面以阵列形式粘结若干晶片；S2：使用模具Ⅰ对黄色荧光胶进行一次模压成型，在基板正面形成若干胶道区Ⅰ，每个胶道区Ⅰ包括若干间隔排列的条形凸起胶道；S3：使用模具Ⅱ对透明胶进行二次模压成型，在基板正面形成若干胶道区Ⅱ，每个胶道区Ⅱ包括若干以阵列排布的弧形凸起胶面，每个弧形凸起胶面均对应包覆一单颗晶片，对二次模压成型后的基板进行烘烤固化，完成封装。通过优化生产工艺，不仅可以提升白光集中度，实现贴片白光二极管的小电流高亮度性能，还可以节约生产成本，提高生产良品率。

35 一种具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管及其制备方法

     包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，电子阻挡层包括多个周期结构，每个周期结构沿生长方向依次包括层叠设置的第一子层、第二子层和第三子层，其中，第一子层为AlGaN材料，且第一子层的Al组分含量沿生长方向线性递减，第二子层为MgN材料，第三子层为AlGaN材料，且第三子层的Al组分含量沿生长方向线性递增；能促进空穴从电子阻挡层向量子阱有源层的注入，进而提高深紫外发光二极管的发光效率。

36 一种发光二极管及其制备方法和显示面板

     包括：外延层和光学膜，所述光学膜位于所述外延层的第一表面，所述光学膜的周边边缘不超过所述第一表面的侧边；所述外延层的第二表面与所述第一表面之间的夹角为锐角，所述第二表面与所述第一表面相连。能保证工艺生长的光学膜不会超过外延层的侧边，降低光学膜的加工难度。

37 一种量子点发光二极管LED及其制备方法

     包括依次层叠设置的衬底、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴级，空穴传输层包括依次层叠设置的p?NiO层和p?NiMgO层，p?NiO层为NiO，p?NiMgO层为Ni_xMg_1?xO。构建的全无机QD?LED，将过高的空穴势垒转化为若干个很小的带阶，p?NiMgO层相当于为空穴架起一个楼梯，使p?NiO空穴注入层中浓度较高的空穴沿着这个阶梯源源不断地传递到量子点发光层中，由于没有了大势垒的限制，空穴不会在HTL/量子点发光层的界面处富集，而更倾向于注入到量子点中，实现了空穴的有效注入。

38 一种超辐射发光二极管制备方法

     包括：将待研磨的激光器芯片固定在研磨机的夹具上；对夹具上的激光器芯片进行研磨，使激光器芯片的波导达到目标参数，得到超辐射发光二极管；目标参数包括目标腔长度、目标腔面粗糙度或者目标腔面倾斜角度中的至少一项。本申请可免除超辐射发光二极管的重新设计和光刻板的投入成本，仅通过上述简单、可重复性强、灵活性强的流程便可将量产的标准激光器芯片制备成可定制化波导腔长、腔面倾斜角和粗糙度的超辐射发光二极管。减少了超辐射发光二极管的波导设计、工艺研发等资源投入、降低了超辐射发光二极管的生产成本，在可见光通信及照明领域具有普及和发展的潜力。复旦大学

39 一种石墨烯纳米带发光二极管及其制备方法

     包括由下自上依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、发光层、电子注入层、阴极；发光层的材质为GNR；空穴注入层的材质为NiO；电子注入层的材质为IGZO。创新性地将石墨烯纳米带作为发光二极管的发光层，采用IGZO和NiO作为电子和空穴注入层，因为这两种半导体材料的能带结构能够与石墨烯纳米带的能带结构相匹配，在理论上能够实现载流子的注入、复合等过程，所以在将能量传递给石墨烯纳米带的价带电子时，能够使得石墨烯纳米带价带电子激发到导带，从而在电子由不稳定的导带重新回到价带的过程中，能够将能量以可见光的形式释放出来。山东大学

40 一种反极性发光二极管的制备方法

     其特征在于，包括以下步骤：提供一GaAs衬底，在所述GaAs衬底上依次生长缓冲层、腐蚀截止层、N型半导体层、多量子阱层、P侧波导层、P型限制层、过渡层和P型欧姆接触层，得到发光二极管外延片；对所述发光二极管外延片进行反极性处理，得到反极性发光二极管。制备方法能够提高反极性发光二极管的电流扩展性能、发光功率及大功率下的可靠性。

41 一种深紫外发光二极管及其制备方法

     该深紫外发光二极管中缓冲层中的每一层子缓冲层具有不同的膜层厚度、生长速率、退火温度、退火时间以及氧含量，以形成致密程度和晶格大小渐变的缓冲层结构，并且采用逐层退火的方式减少缓冲层内的缺陷密度，提高缓冲层的膜层质量，进而提高深紫外发光二极管的光电性能。

42 一种包含高有序InGaN/GaN纳米棒阵列的发光二极管的制备方法

     包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长外延结构，外延结构包括由下之上依次设置的未掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多层量子阱层和p型GaN层；采用纳米压印光刻工艺制备出微观形貌、尺寸可控的镍点阵列；将镍点阵列作为掩膜，采用干法刻蚀工艺将外延结构刻蚀到n?GaN层，得到纳米棒阵列，依次放入KOH溶液中刻蚀和稀盐酸中煮沸；采用SOG工艺对纳米棒阵列进行绝缘和结构平面化处理，然后退火；先在纳米棒阵列的尖端沉积Ni/Au，再在Ni/Au上蒸镀氧化铟锡电流扩展层，形成与p?GaN层的半透明欧姆接触；在n?GaN层上蒸镀Ti/Al，形成与n?GaN层的欧姆接触。与平面LED相比较，所制备的有序纳米棒阵列的发光强度显著增强。

43 一种发光二极管及其制备方法

     其中发光二极管包括：衬底；生长在衬底上方的外延层，外延层包括在衬底上方依次生长的GaN基底、缓冲层、n型GaN、多层量子阱和p型GaN；外延层中设置有若干个隔离区；隔离区包括注入隔离层、钝化层和光学隔离区；注入隔离层与外延层的侧壁接触，钝化层覆盖在注入隔离层上，光学隔离区为钝化层形成的隔离沟槽，光学隔离区填充有光学隔离材料；p型GaN上方沉积有P型金属电极层。本发明在外延层中设置有若干个隔离区，隔离区中的注入隔离层与发光单元外延层的侧壁接触，不会对外延层侧壁造成损伤，从而能够在实避免出现非辐射复合中心缺陷，进而能够有效提高发光二极管的发光效率。

44 一种超辐射发光二极管及其制作方法

     包括衬底层、波导层、多量子阱有源层和对接生长层，波导层设置在衬底层的第一方向侧，多量子阱有源层和对接生长层设置在波导层的第一方向侧，对接生长层设置在多量子阱有源层沿超辐射发光二极管的出光方向上，以使光场在传输时被引导至超辐射发光二极管的多量子阱有源层靠近衬底层的一侧，能够使得对接生长层与波导层相配合，将光场在传输时被引导至多量子阱有源层靠近衬底层的一侧，增强芯片的抗反射能力，可以获得大功率、小光谱调制的光源，还能减小光斑的垂直远场发散角，得到一个更接近圆形的输出光斑，有利于与光纤进行耦合，提高出纤功率。

45 一种微型发光二极管及其制作方法

     包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上，p型电极形成在p型层上；绝缘层，形成在n型层、有源层和p型层上，n型电极和p型电极上开设有电极窗口；其中，第一台面的宽度小于第二台面的宽度，以调控有源层内的载流子的输运路径，使载流子远离有源层的侧壁。能够有效抑制刻蚀损伤带来的辐射复合效率下降，进而可以提高器件的辐射复合效率。

46 一种垂直发光二极管及其制备方法、LED灯板

     该垂直发光二极管包括导电层以及依次沉积于导电层上的Ag金属反射镜、光角转换层、外延层、导电金属层；导电层包括芯片焊盘以及依次沉积于芯片焊盘上的导电基板、Au金属膜层、Au金属薄膜以及Ni金属薄膜，光角转换层的截面呈倒梯形结构，光角转换层为本征GaN层，通过设置Ag金属反射镜以及光角转换层，使得垂直发光二极管内部大角度的光线通过Ag金属反射镜的反射转换为小角度的光线，防止大角度光线在垂直发光二极管内发生全反射无法释放，从而提升垂直发光二极管的发光效率。

47 一种发光二极管及其制造方法及发光装置

     发光二极管中，外延结构至少包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；反射结构形成于第二半导体层，反射结构包括透明导电层；其中，透明导电层与第二半导体层的厚度比介于1：5～2：1之间。技术方案通过控制透明导电层与第二半导体层的厚度，提供一个合适的厚度比和/或厚度比范围，可以确保透明导电层积聚的内应力相对较小，产生的弯曲形变量较低，同时也可以减小应力传递对其下方外延结构及生长衬底的不良影响，使晶圆的翘曲度保持在极低范围内，避免了产生边缘应力集中点和外延结构脱落等质量问题，提高了发光装置的产品良率。

48 一种垂直型深紫外发光二极管及其制备方法

     垂直型深紫外发光二极管从上至下依次包括N型电极、N型GaN层、量子阱有源层、P型GaN层、金属材料层以及键合衬底，其中，垂直型深紫外发光二极管的内部还设置有多个凹槽，每一凹槽完全贯穿N型GaN层、量子阱有源层、P型GaN层以及金属材料层；本发明通过在垂直型深紫外发光二极管的内部设计的多个凹槽可以减少P型GaN层以及键合衬底对量子阱有源层发射至键合衬底方向的紫外光的吸收，同时凹槽完全贯穿N型GaN层以及量子阱有源层，有利于量子阱有源层发射至N型电极方向的紫外光沿凹槽侧面发生漫反射，进一步提升了垂直型深紫外发光二极管的发光强度。

49 发光二极管及其制备方法以及发光装置

     包括衬底基板、第一半导体层、有源层和第二半导体层；衬底基板的上方具有沿衬底基板的板面分布且邻接的第一区域和第二区域，第二区域围绕第一区域分布；其中，第一半导体层位于第二区域的部分设置有多个开孔，开孔向下延伸至衬底基板处；开孔的至少部分孔段形成为倒角孔段；倒角孔段自下向上逐渐缩小，以使倒角孔段的内侧壁与开孔之间的分界面形成有倒角状反射面，倒角状反射面至少分布于倒角孔段的受光侧。具有更高的出光效率。

50 一种AlGaN基深紫外发光二极管及其制备方法

     从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型半导体电子注入层、多量子阱有源层、p型电子阻挡层、界面势垒调控层、p型半导体空穴注入层、p型接触层、p型电极、n型电极。电子阻挡层/调控层界面以及调控层/空穴注入层界面间会产生负极化诱导电荷，吸引空穴聚集，使得电子阻挡层与空穴注入层之间形成“M”状的空穴聚集区。同时，调控层能够减小电子阻挡层和空穴注入层之间的价带偏移使得两者间的界面势垒高度降低，让更多的载流子能够翻越电子阻挡层进入有源区，解决了因电子阻挡层和空穴注入层界面势垒所带来的DUV?LED的载流子注入不足的问题。

51 一种硅纳米线核壳结构异质结发光二极管及其制备方法

     结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、电荷传输层、硅纳米线核壳结构层、掺杂硅衬底(P型或N型)、背面电极。使用硅纳米线和包覆层形成的核壳结构，构成半导体异质结发光二极管，并利用硅纳米线的大比表面积，增大异质结有效结面积，提高电子和空穴的复合几率，从而提高发光二极管的电致发光效率。复旦大学

52 一种深紫外发光二极管的制备方法和深紫外发光二极管

     该制备方法包括：首先将双通阳极氧化铝模板转移至一深紫外发光二极管外延结构中远离衬底的一侧表面上，其次在双通阳极氧化铝模板上形成抗刻蚀层，随后剥离双通阳极氧化铝模板，再以抗刻蚀层为掩膜对深紫外发光二极管外延结构进行刻蚀，使深紫外发光二极管外延结构中的发光材料层形成量子点阵列，最后去除抗刻蚀层；通过采用双通阳极氧化铝模板将深紫外发光二极管外延结构中的发光材料层制备成量子点阵列，实现了深紫外发光二极管在光输出功率的较大提升。

53 一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法

     包括：自下而上依次层叠的支撑衬底、下反射镜、电流扩展层、发光层、上反射镜；所述发光层包括：自上往下依次层叠N型半导体外延层、有源区、P型半导体外延层，形成PIN结构，用于发光；所述上反射镜为滤波器结构反射镜，通过氮化镓外延层与所述发光层连接，用于透射中心波长光，反射非中心波长光；所述上反射镜和发光层连接有上电极。使用滤波器结构作为反射镜制作氮化镓基谐振腔发光二极管相比于常规氮化镓基谐振腔发光二极管具有更窄的线宽、并可实现高纯度单纵模发光。厦门大学

54 一种高辐射发光二极管制备方法及发光二极管制备方法

     包括：提供一衬底；依次在衬底上沉积缓冲层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括按第一周期交叉沉积在低温应力释放层上的In_xGa_1?xN量子阱层和In_yGa_1?yN超晶格量子垒层，x＞y，In_yGa_1?yN超晶格量子垒层包括按第二周期交叉沉积的Mg掺第一垒层和第二垒层，Mg掺第一垒层采用3D模式沉积制成，第二垒层采用2D模式沉积制成。提供的发光二极管，能够减弱多量子阱层中因极化效应而导致的能带倾斜现象，提高发光二极管的质量。

55 一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法

     该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。

56 一种微尺寸发光二极管及其制备方法

     包括衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明接触层、P电极、N电极以及透明绝缘层，衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层依次设置，透明接触层设置在第二半导体层上，所述缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层的边缘刻蚀形成斜角结构，透明绝缘层设置在衬底层、斜角结构以及透明接触层的表面，P电极贯穿透明接触层和透明绝缘层设置在第二半导体层，N电极贯穿透明绝缘层设置在第一半导体层的裸露面。提供的微尺寸发光二极管能够调整出光角度，减少光在发光二极管内多次反射后被损耗，从而提高发光效率，减少能耗。

57 一种基于金刚石基图形衬底的大功率氮化物发光二极管制备方法

     主要解决现有金刚石衬底上外延氮化物半导体发光二极管晶格质量差、平片衬底出光效率低、大功率发光二极管器件散热不足及制备工艺复杂的问题。其自下而上为图形化金刚石衬底层，氮化硼插入层，氮化物材料成核层，氮化物缓冲层，n型Ⅲ族氮化物材料层，该n型Ⅲ族氮化物材料层的左上部依次为Ⅲ族氮化物材料量子阱层，p型Ⅲ族氮化物材料层，透明导电层和金属电极层，右上部为金属电极层。利用图形化金刚石衬底，提高了衬底的导热能力和光提取效率及材料的晶体质量，利用在衬底上增设的氮化硼插入层，避免了键合工艺，简化了器件制备过程，可用于大功率的照明、显示及背光。西安电子科技大学

58 一种水下航行器照明灯的发光二极管制造方法及其照明灯

     其方法包括：设置一层基底；测量半导体原片的理想发光曲线；根据理想发光曲线，计算优化层的最优比例和最优厚度；通过共溅射工艺制作优化层的材料；通过磁控溅射，将优化层镀在正极层的表面，得到半导体优化片。对半导体优化片进行封装，得到发光二极管并制作照明灯。计算优化层的最优比例和最优厚度，覆盖半导体原片，使其发光曲线接近理想发光曲线，发光效率更高，得到半导体优化片。进一步的，封装该优化片，得到的发光二极管的发光效率更高，使用该发光二极管制作的水下航行器的照明灯的发光效率更高，在水下航行时可以节约因照明而消耗的电能。

59 一种高亮度反极性AlGaInP发光二极管的制备方法

     通过晶圆表面蒸镀纳米掩膜，光刻切割道图形，然后使用ICP刻蚀形成切割道并粗化发光区，再去除掉纳米掩膜。利用ICP刻蚀形成切割道的过程中同时完成了粗化发光区，只需要进行一次刻蚀同时完成两步工艺，不需要光刻工艺进行粗化掩膜制作，简化了制备工艺，大幅减少工艺流程，相较于现有制备方法的生产周期，生产周期减少了10～12％，极大地提高了生产效率，同时由于不需要多次光刻和腐蚀，降低了生产成本。

60 一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法

     在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。