《超高功率石墨电极制造工艺配方精选》  
          
耐高温  高质量  耐损耗   超高功率  国家标准产品
New Technology Of Graphite Materials
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  • 近年研制的石墨电极高新技术!各种石墨电极制品应用,产品配方 生产工艺技术。产品新颖,环保,涉及面广。内容涵盖技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息!!!   想要高技术配方! 想生产高性能!想降低成本! 想创业转型! 请订购2021新版《石墨电极制造及应用新技术精选》!


2024新版《超高功率石墨电极制造工艺配方精选》

        石墨电极是指以石油焦、沥青焦为骨料,煤沥青为黏结剂,经过原料煅烧、破碎磨粉、配料、混捏、成型、焙烧、浸渍、石墨化和机械加工而制成的一种耐高温石墨质导电材料,称为人造石墨电极(简称石墨电极)。根据其质量指标高低,可分为普通功率石墨电极、高功率石墨电极和超高功率石墨电极。石墨电极的优点是加工较容易,放电加工去除率高,石墨损耗小。为了让国内石墨材料生产企业及时掌握新技术发展、制造、工艺配方资料情报,做好新技术产品优化和开发新产品工作,特收集整理的本篇新技术汇编专集。

     

       目前大容量、超高功率电弧炉发展迅速,对大规格、超高功率石墨电极的质量要求越来越高。直流电弧炉和交流电弧炉在冶炼过程中,初始熔化、熔化、氧化和还原各个阶段对供电制度( ep 电压、电流的大小)有着不同的要求,同时对超高功率石墨电极的理化性能要求存在明显的差异。 传统石墨电极生产方式是高能耗、高污染行业,并且生产周期长达150 ",160天,效率低下。已经成为改革的重点和被限制的行业。因此,行业的生存和发展,必须依赖科技进步。


       直流电弧炉和交流电弧炉在冶炼过程中,初始熔化、熔化、氧化和还原各个阶段对供电制度( ep 电压、电流的大小)有着不同的要求,同时对超高功率石墨电极的理化性能要求存在明显的差异,但现有φ700mm 超高功率石墨电极的制造方法对直流电弧炉和交流电弧炉没有进行功能化区分。使用φ700mm 超高功率石墨电极的160 吨交流电弧炉,其变压器输出功率高达155MVA ,电流达到80-110A ,电压1350V ,传统意义品质的超高功率石墨电极无法满足正常使用要求。


    


《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》

《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》

【资料页数】809页 (大16开 A4纸)
【资料内容】制造工艺及配方
【项目数量】52项
【交付方式】中通特快专递
【合 订 本】书籍资料:1580元(上、下册)
【电 子 版】1360元 光盘


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《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》涉及国内外著名公司、科研单位、知名企业的最新专利技术全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、环保性强是从事高性能、高质量、产品加工研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。

       资料中包括制造人造金刚石原料,技术配方、生产工艺、处理工艺、成型工艺、产品性能测试及标准、解决的具体问题、产品制作实施例等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。本篇专集资料分为上、下两册,A4纸大,共809页现货发行,欢迎订购!

内容描述:
1西安交通大学横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法

将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接,在接缝处生长出桥状连接部分,并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层;其中,单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显,金刚石容易发生相对移动的问题,从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险

2单晶金刚石的生长方法,这种生长方法通过三层结构来生长高质量单晶金刚石
解决了传统金刚石生长过程中外延层高的生长速率与外延层质量之间相矛盾的问题

3武汉大学单晶金刚石生长方法和装置,能够实现大尺寸单晶金刚石的快速生长
所提供的单晶金刚石生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于谐振腔中;将含有碳源和氢气的反应气体通入电离腔中进行充分电离,然后将电离后的气体通入谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长金刚石

4六号元素有限公司一种单晶CVD合成金刚石层
包括非平行的位错阵列,其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时,非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错

5激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法
结合微波能(或电能)和激光两种能量,利用低成本的高能量激光提高金刚石合成过程中等离子体的能量和气体离解速率,从而提高金刚石的合成速率,该方法有效解决了金刚石高速批量制备的难题

6单晶金刚石制备装置以及方法
该单晶金刚石制备装置,在制备单晶金刚石的过程中,使反应气体经过掺杂装置,从而将水蒸气带入到反应腔内,实验结果表明,通入水蒸气制得的金刚石颜色和纯净度比不通水蒸气更好,而且外缘处的几乎无多晶产生

7金刚石制备技术领域,公开了一种拼接生长单晶金刚石的方法及系统
采用CVD法拼接生长单晶金刚石,达到大面积生长单晶金刚石的目的,现有单晶金刚石的生长只能在原有的籽晶上进行纵向扩大,这样籽晶的尺寸直接决定了合成的尺寸,采用两个尺寸相同,厚度接近的单晶金刚石片进行固定拼接,然后同时生长,获得大尺寸单晶金刚石,解决了瓶颈问题

8金刚石单晶生长装置及方法
装置包括:沉积台和可升降中心柱;所述沉积台上设有沉积台孔,可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱,孔柱设置在沉积台孔中。能够有效地提高金刚石单晶生长质量,解决一次生长不了太厚的问题

9浙江工业大学锗空位(Ge‑V)发光的金刚石颗粒及其制备方法
在石英衬底上采用磁控溅射的方法,制备一系列不同厚度的锗涂层样品;在步骤(1)得到的衬底上采用热丝化学气相沉积的方法制备分散的金刚石颗粒。提供的具有Ge‑V发光的金刚石颗粒的尺寸为0.5~3.5μm,对于实现其在单光子源、量子信息处理、光电子器件等领域的应用具有非常重要的科学意义和实际价值

10微波等离子体化学气相沉积方法生长单晶金刚石领域,梯度单晶金刚石及其制备方法
采用微波等离子体化学气相沉积设备,在氢气甲烷混合气源中连续性梯度浓度通入高纯空气,实现不含氮的高质量单晶金刚石层和含氮金刚石层的交替沉积,制备出高质量、高强度、韧性好的梯度单晶金刚石

11基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法
利用微波等离子体化学气相沉积法高温刻蚀Ⅱa型单晶金刚石,利用产生的碳源生长金刚石,能有效提高单晶金刚石生长所需碳源的纯度,
得到的单晶金刚石质量好,且生长出的单晶金刚石为与基底相对应的规则形状,提高利用率

12CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法
通过激光刻蚀技术将金刚石表面图案化的特殊结构设计,控制单晶金刚石图案层横向与纵向的生长速率,通过一次或多次图案化处理有效抑制生长过程中位错的产生,获得高质量的单晶金刚石。优势是在生长过程中控制单晶金刚石横向和纵向的生长速率比值,保证在凹槽内生长方向与位错线方向垂直,消除衬底凹槽底部的位错遗传,提高金刚石生长层的晶体质量

13利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法
由于石墨体在衬底与衬底托之间沉积,衬底侧边与衬底托有接触,增大了衬底边缘的冷却效果,优化单晶金刚石衬底整体温度均匀性;极大地避免了衬底边缘出现多晶生长。通过实验发现利用方形槽镶嵌式衬底托可有效抑制了单晶金刚石在生长过程中的边缘多晶,获得了尺
寸不缩小的单晶金刚石样品

14大颗粒金刚石的制备方法
能够制备大颗粒的金刚石,晶型完整,成本低且工艺简单

15信越化学工业株式会社一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法,以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板

16河南工业大学类金刚石直接转化合成纯相多晶金刚石的制备方法
采用类金刚石粉末为原材料,经净化除杂、预压成型后,不添加任何粘结剂,装配烧结单元,经高温超高压烧结制备纯相多晶金刚石。制备得到的多晶金刚石的晶粒尺寸为5纳米 ‑ 100微米,大面积形成高强度的金刚石—金刚石成键的界面。多晶金刚石的硬度与金刚石单
晶硬度相当;热稳定性,硬度,及耐磨性明显优于含金属或陶瓷粘结剂的多晶金刚石

17中国科学院半导体研究所异质外延金刚石及其制备方法
该异质外延金刚石包括:异质衬底;石墨烯柔性层,制备于异质衬底上;金刚石层,外延生长于石墨烯柔性层上;石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层,消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低

18住友电气工业株式会社:单晶金刚石生产方法
其包括一组彼此相对的主表面,其中,在主表面中,杂质浓度沿着第一方向变化

19住友电气工业株式会社:金刚石包含氮原子的生产方法
该氮原子的浓度沿着金刚石单晶的晶体取向周期性地变化。沿着晶体取向的一个周期的距离的算术平均值Aave、最大值Amax和最小值A min 满足由下式(I)表示的关系:(Amax)/1.25≤ (Aave)≤(Amin)/0.75(I)

20二A科技有限公司单晶金刚石及其生长方法
单晶金刚石

21住友电气工业株式会社单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具
在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,单晶金刚石材料具有偏角为20° 以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓
度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面

22含硼金刚石及其制备方法和用途
涉及金刚石领域,该含硼金刚石为多晶结构,该含硼金刚石为多晶结构,解决了现有技术中含硼金刚石为单晶结构时把持力差、容易脱落和不够锋利的问题,解决了现有技术中的多晶金刚石在高温下容易膨胀、破碎的技术问题,可以用作陶瓷和金属结合剂磨具。该含硼金刚
石改善了多晶金刚石的热力学稳定性,拓展了多晶金刚石的使用范围

23浙江工业大学Si‑V发光的纳米金刚石晶粒
采用热丝化学气相沉积法,简单易行、容易操作,制备了尺寸在70~100nm的Si ‑V发光的纳米金刚石晶粒,其晶型规则,发光峰的归一化强度约为4.5,为纳米金刚石在生物标记等领域的应用提供了重要基础

24河南理工大学人工合成大尺寸单晶金刚石片方法
包括生产晶种,合成组装块装配及合成加工等三步,与现有技术相比,可有效提高人工合成金刚石的直径,并实现同批次的人工合成金刚
石生产中可同时制备不同直径人工合成金刚石的需要,从而在有效满足市场对单晶金刚石需求的同时,另可有效的满足市场对小直径单晶
金刚石的需要,并可有助于降低人工合成金刚石生产的成本

25一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置
能够有效避免了大颗粒金刚石单晶生长过程中的金属夹带现象,生长出了粒径大于10mm的大颗粒金刚石单晶,大幅度提高生产效率

26一种具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置
方法是向作为碳源的石墨中掺加氮化硼,使金刚石晶体在生长过程中有硼原子掺杂,高温高压条件下,将金刚石晶种置于金属触媒的底部,利用温度梯度法生长;采用高温高压条件,以掺加硼的石墨为碳源,利用温度梯度法生长出了粒径大于10mm且具有半导体性质的Ⅱb
型的金刚石单晶

27住友电气工业株式会社单晶金刚石及其制造方法
包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件,适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等

28住友电气工业株式会社提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具
单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子,且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02%以上且低于40%

29信越化学工业株式会社金刚石膜的制造方法
其特征是至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由单晶基板分离该金刚石膜的工序,单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,由单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜

30哈尔滨工业大学一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法
涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响,等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低,以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题

31金刚石涂层及沉积该涂层的方法
涉及金刚石涂层,其特征在于它包含至少一个第一纳米晶金刚石层和第二微晶金刚石层的叠层

32哈尔滨工业大学异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法
在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层,提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量,从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能;由于使用了TiN缓冲层,整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行,使得外延成本大大地降低,
同时基于Si衬底生长金刚石,可以更好地与电子信息工业相匹配

33六号元素有限公司制备鲜艳橙色的合成CVD金刚石材料的方法
方法包括辐照已经由CVD生长的单晶金刚石材料从而将孤立空位引入至少一部分的CVD金刚石材料中,并且随后退火该辐照的金刚石材料,从而由至少一些所引入的孤立空位形成空位链。还描述了鲜艳橙色的CVD金刚石材料

34信越化学工业株式会社研制单晶金刚石的制造方法
一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法

35超细颗粒金刚石单晶的合成方法
采用的触媒粉末为Ni基合金触媒粉末。利用可制备超细颗粒的金刚石单晶,合成的400目以细超细颗粒金刚石含量达90%以上,晶形完整率达85%以上;有效地解决了现有技术难以合成超细颗粒金刚石的不足;金刚石晶型完整,纯净度高、热冲值达80~87%

36上海交通大学超细金刚石单晶微粉的制备方法
包括以机械破碎法得到的金刚石微粉作为籽晶,采用光刻胶超声振动均匀分散金刚石晶种工艺,将籽晶均散在硅基衬底表面,金刚石微粉的粒度为M0/1~M6/12;应用热丝化学气相沉积法对经过播种籽晶的硅基衬底进行沉积,获得金刚石单晶颗粒;采用化学腐蚀硅基衬底结合高速离心沉降颗粒工艺处理获得的金刚石单晶颗粒,以获得超细单晶金刚石微粉

37上海交通大学硼掺杂超/精细金刚石单晶微粉的制备方法
超/精细金刚石微粉中具有六-八面体或二十面体聚形晶体形态的比例较高,不但可显著提高超/精细金刚石单晶颗粒的生长速率,还可
改善颗粒的晶形及表明质量

38六号元素技术有限公司合成金刚石材料
其包含一个或多个自旋缺陷,该一个或多个自旋缺陷具有不大于100MHz的半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度。用于获得这样的
材料的方法包括多阶段退火过程

39六号元素技术有限公司一种着色的单晶CVD合成金刚石材料
其包含:多个层;其中所述多个层包括至少两组层,所述至少两组层在它们的缺陷组成和颜色方面不同,其中所述至少两组层各自的缺陷类型、缺陷浓度和层厚度为:如果将所述着色的单晶CVD金刚石材料制造成圆形明亮式切割金刚石,该圆形明亮式切割金刚石包含台面和底尖,并且具有大于1mm的台面至底尖深度

40N型半导体金刚石单晶及其生产方法
单晶导电性较好,光热转换效率高,适合于太阳能电池、LED光源、高性能芯片的制作,产品性能稳定

41六号元素技术有限公司一种单晶CVD合成金刚石材料
颜色强度在单晶CVD合成金刚石材料中是均匀的,使得以灰度值标准偏差除以灰度值平均值为特征的灰度色的变化小于40%

42住友电气工业株式会社单晶金刚石
其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍;并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下

43东山国际有限公司在反应池中的用于金刚石生长的多层结构
该多层结构包括:金刚石晶种;设于金刚石晶种上的第一金属催化层,该第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于第一金属层之上的第二金属催化层,该第二金属催化层包含高于第一浓度的第二浓度的碳;以及设于第二金属层之上的碳源层

44吉林大学金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域
具有操作简单,成本低,可大面积生产,刻蚀气体安全无污染等优点;将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合,为金纳米颗粒提供稳定的基底,能改善金纳米颗粒在应用中所存在的易聚合及加入稳定剂造成表面污染的问题

45株式会社神户制钢所提供一种排列有大型的多边形金刚石晶粒的阵列化金刚石膜
通过容易地使避开晶界的元件配置形成,由此,能够实质上与在单晶基板上同等地高效地制造高性能的元件,并通过沿着晶界分割从而能够容易地制造元件。该阵列化金刚石膜是在 不同种材料的结晶基板上,接着其结晶方位的信息开始成长的高取向金刚石膜,其中,在表面中,多边形金刚石晶粒以重心间距离为20 μm 以上的二维重复图案排列

46信越化学工业株式会社单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法
能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的,以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法

47一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法
通过调控等离子体的流体特性,构建出稳定的层流等离子体边界层,使单晶金刚石能够在大尺寸衬底上进行稳定生长。从而避免当前直流等离子体沉积单晶金刚石的多晶化和小尺寸衬底的问题。提供了一条适合采用大尺寸籽晶、稳定制备单晶金刚石的途径,使单晶金刚石稳定生长区尺寸在等离子体运动轴线方向达到7厘米,并有效抑制了单晶生长表面的多晶化

48六号元素有限公司一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法
涉及用于合成合成CVD金刚石材料的方法和高品质的合成CVD 金刚石材料

49能够用于高精度抛光加工的纳米单晶金刚石
该纳米单晶金刚石是将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒通过球磨粉碎制成。能够以便捷可行的途径获得纳米级单晶金刚石,并且生产成本相对较低

50住友电气工业株式会社适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石
其具有更少畸变并且具有大的面积。是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法,其中,当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时,在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过 50nm /100μm的厚度

51华盛顿卡内基研究所超硬金刚石及其制造方法
一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过4.0GPa的压力下加热到超过1500℃的温度进行退火的单晶金刚石,其硬度大于120GPa

52六号元素有限公司单晶CVD(化学气相沉积)金刚石体,耐磨应用中的CVD金刚石
其特别适合用作用于耐磨应用的耐磨材料,如拉丝模具、绘画工具等。金刚石具有低的磨损速率,表现出指示低应变的低的双折光指数,并具有可以被加工以表现出高表面抛光的能力


购买理由

            大力发展高性能、高端产品,提高企业核心竞争力    

     

     石墨具有较高的高温强度、低热膨胀系数、较好的可加工性和良好的热、电导率,因此石墨电极广泛应用于冶金、电炉、电火花加工等领域。在 电火花加工方面,石墨电极是在电弧炉中以电弧形式释放电能对炉料进行加热熔化的导体、性能优越,但在使用过程中由于温度很高、石墨电极的氧化速度很快,过快的氧化使石墨电极的使用寿命明显缩短、使用成本提高。石墨电极与铜电极相比具有电极消耗小、加工速度快、机械加工性能好、加工精度高、热变形小、重量轻、表面处理轻易、耐高温、加工温度高、电极可粘结等优点。新型石墨电极材料及其加工技术的发展扩展了电火花加工的应用范围,进步了其使用性能。


      通常,生产超高功率石墨电极的主要原料是针状焦,它又分为石油系针状焦和煤系针状焦。煤系针状焦与石油系针状焦相比,其优点是价格低廉,热膨胀系数低;缺点是胀裂大。因胀裂大,产品堆密度的下降会导致产品强度的下降,甚至会使在制造电极时因电极发生破损而报废。


      使用煤系针状焦生产大规格超高功率石墨电极时存在着较大的难度,主要是因为煤系针状焦中硫、氮含量高,在石墨化处理过程中容易造成制品胀气,生产裂纹废品;又因大颗粒含量少,颗粒强度较低,在使用大颗粒配方时,配料比例容易遭到破坏;还由于热胀系数较高,影响电极最终的抗热振性能;并且煤系针状焦的长宽比较小,会对电极产品的导热导电性能有影响。而我国生产的煤系针状焦与进口的煤系针状焦相比存在差异,表现为主要理化
指标真密度偏低、热膨胀系数和硫含量偏高,采用我国生产的煤系针状焦只能生产直径φ400mm 以下规格超高功率石墨电极,要生产大规格直径φ600mm 超高功率石墨电极有很大难度。目前,凡生产大规格超高功率石墨电极的,大多数是采用优质的石油系针状焦,只有日本曾采用日本本国生产的煤系针状焦,而日本生产的煤系针状焦的主要理化指标要好于我国生产的煤系针状焦。我国生产超高功率石墨电极的主要原料一针状焦,长期以来依赖进口,且进口原料价格昂贵,造成生产成本高,并严重制约我国炭素行业超高功率石墨电极产能和视格的扩大。新研制的技术能有效地降低生产成本,提高经济效益,并使产品质量指标和使用性能均能达到国际标准。


    

        一、《超高功率石墨电极制造工艺配方精选》信息量大,配方全,新产品开发必备资料


                                                                       国内外科研院校、石墨材料研究单位、石墨制品生产企业的优秀新技术工艺配方。

           例如:

   ★ 研制的大直径管状半石墨炭电极的生产方法,制品管径大,最大可达1200mm,耗材少、重量轻、强度高、无裂纹,无污染,导电性能良好。

   ★ φ800mm普通功率石墨电极及其制备方法使用了新的工艺配方和技术、产品质量指标和使用性能均达到国家标准。

   ★ φ700mm超高功率石墨电极的制造方法,制备的超高功率石墨电极可抵抗100MVA的冲击电流,满足160吨交流电弧炉冶炼要求,实际应用性能优良。

   ★ 直径650mm超高功率石墨电极技术,打破国外炭素企业对国内直径650mm超高功率石墨电极市场垄断,填补国内高功率石墨电极的空白。

   ★ 直径348mm石墨电极制备技术工艺。克服了以往电极体积密度低,抗折强度小等不足,使制造出的电极更适合于石墨坩埚、不透性石墨基材等的需要

   ★ 南京理工大学最新研制石墨电极表面改性提高抗氧化性能技术,大幅提高石墨电极高温抗氧化能力。用于电弧炉炼钢和炉外精炼用石墨电极的制造行业。

   ★ 北京理工大学最新研制电解用修饰石墨电极及其制备方法,用于废水处理时可提高电解过程中氧化还原效率,并避免提高耗电量。

   ★ 半石墨化无烟煤制备大规格高功率炭电极的方法。减少生产原料种类,简化生产配方,满足了大型矿热电炉对大规格高功率炭电极的需求。

   ★ 河海大学氨基改性石墨电极的制备方法及其应用。提高电极的催化活性与氧化性等,从而提高对染料废水的降解速度和去除效率。

   ★ 临沂大学研制孔径可控的多孔高定向热解石墨电极制备技术,工艺简单,操作方便,成本低,石墨电极孔径和深度可控,应用范围广。

   ★ 广东工业大学研制薄壁石墨电极加工方法,实现了石墨电极的精细加工,可以加工壁厚低至0.04~0.10mm的石墨电极,电极外观平滑,不会崩碎。

   ★ 石墨电极的新型制备工艺技术,生产周期由150~160天缩短到30天以内,生产效率大大提高;生产成本显著降低的特点。

      

        二、制和改善工艺、配方、降低成本、提高企业产品效益。解决石墨电极制造工艺及应用技术问题


                           资料中每项新技术工艺配方,都是针对现有技术的改进和提高,掌握这些优秀新技术,有利于提高企业产品质量。

           例如:

           ★   如何实现提高对染料废水的降解速度和去除效率,克服了现有的电化学氧化染料废水处理时间较长、出料效果不高等缺陷,降低生产成本的问题?

             ★   如何解决了小粒度粉料多电极在焙烧、石墨化热处理过程中容易崩裂,成品率低的难题?

             ★   何提高制备得到的超级电容器电极的比容量,方法简便、成本低,便于工业应用的问题?

             ★   如何生产出的制品既具有高导电率、耐腐蚀,同时抗折弯和抗冲击性能均能够明显提高的问题?

             ★   如何解决了小粒度粉料多电极在焙烧、石墨化热处理过程中容易崩裂,成品率低的问题?

             ★   如何提高了电极的导电性,同时对污染物的降解效率高的问题?

             ★   如何可以大幅减小成本,有效预防倒棒,同时有效降低成品硅棒中石墨杂质的含量的问题?

             ★   如何避免了金属电极在高温下易被液化造成寿命短的问题?

             ★   如何解决石墨电极不容易出现容易出现裂纹、断裂以及软化现象的问题?

             ★   如何降低了电阻率、提高了抗折强度,又有效的降低了生产成本,提高石墨电极市场竞争力的问题?

             ★   如何避免空气存于石墨电极中,提高石墨电极的体积密度,提高石墨电极的质量,同时也提高石墨电极的成品率的问题?

             ★   如何解决现有的石墨电极与三联叶片汽道的匹配性差的技术问题

             ★   如何解决电解用修饰石墨电极,用于废水处理时可提高电解过程中氧化还原效率,并避免提高耗电量的问题?

             ★   如何对石墨电极进行表面改性处理,大幅提高石墨电极的高温抗氧化能力的问题?

             ★   如何解决我国煤系针状焦由于主要理化指标较差不能生产大规格超高功率石墨电极接头的难题?

             ★   如何防止超高功率石墨电极与接头连接发生松动、滑扣或者断裂的情况的问题?

             ★   如何解决我国电弧炉炼钢用超高功率石墨电极依赖进口的现状,打破国外炭素企业对国内超高功率石墨电极市场的垄断的技术问题?

             ★   如何使产品质量指标和使用性能均达到国家标准,降低普通功率石墨电极的使用消耗,提高经济效益的问题?

 

      三、沟通企业与科研院校的技术合作的桥梁、掌握国内外新技术,新工艺动向、是投资新产品决策依据。


           1)通过这些技术资料您可以充分掌握国内外石墨制造行业最优秀的核心技术配方和工艺,您可以:1、提高产品质量,改进配方,降低生产成本, 2、解决水泥助

            磨剂生产中的技术问题、应用技术问题;3、掌握科研院校最新技术成果。开阔产品开发思路,产学研对接,投资新产品;  4、掌握同行业竞争对手的新产品策略,产

            品技术水平,市场核心产品配方

        

          (2)通过这些技术资料,您可以及时掌握国内科研院校、研究所、生产企业的最新技术成果。可以有针对性地与优秀技术成果的研制院校、科研单位建立

           技术合作,共赢发展。国家也鼓励高等院校、科研院所科研人员在完成所在单位工作任务的前提下,以专职、兼职或受聘的形式在转化基地开展中试、试

           制、实用推广等成果产业化活动。

     

          (3)石墨制造及相关研制企业单位可以通过这些技术资料,了解竞争对手的技术水平、跟踪最新技术发展动向、提高研发起点、加快产品升级和防范知识

           产权风险,为自主创新、技术改造、产业或行业标准制定和实施“走出去”战略发挥重要作用。也是新产品引进、投资决策的重要依据。



       

     





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