以下是光刻胶剥离剂的新技术及其最新进展：

新型化学配方
环保型配方：默克公司推出的AZ® 910 去除剂，基于不含有NMP（N-甲基吡咯烷酮）的新型特制化学配方。这种配方不仅能够快速溶解残留光刻胶，还具备超高的经济性、出色的环保性和广泛的适用性。与传统NMP清洗剂相比，它可直接溶解负性和正性光刻胶，而非仅剥离，从而将清洗工艺时间缩短近一半，同时延长相关材料和过滤设备的使用寿命，降低总体成本。
多功能配方：一种新型的光刻胶剥离液，包含用于溶解的有机溶剂、加快去胶速率的解交联催化剂，以及避免基片腐蚀的防腐蚀保护剂。这种剥离液能够缩短去胶周期，对人体和环境无毒性，尤其适用于曝光后发生交联的光刻胶，尤其是负性光刻胶，能够彻底清除，防止影响后续使用性能。

新的剥离工艺
无需加热和振荡的工艺：上述提到的新型光刻胶剥离液，其应用工艺不需要加热、振荡等过程。这不仅可以提高去胶速度，还能避免辅助措施可能对基片造成的破坏，进一步提高生产效率和产品质量。
等离子体剥离技术：等离子光刻胶剥离剂因其提供环保解决方案同时确保与先进技术兼容的能力而受到关注。这种技术通过等离子体的作用来去除光刻胶，具有更高的去除效率和精度，且对环境友好，符合未来半导体制造对绿色生产的要求。

其他技术突破
高精度去除：随着半导体制造工艺向更小尺寸和更高集成度发展，对光刻胶剥离剂的性能要求也在不断提高。研发人员正在致力于开发能够更精确地去除光刻胶，同时最大限度减少对硅晶片损害的剥离剂，以满足严格的环境和安全标准。
国产化进展：在国内，相关企业和研究机构也在积极推进光刻胶剥离剂的国产化。例如，华中科技大学武汉光电国家研究中心团队在半导体专用光刻胶领域实现重大突破，这为光刻胶剥离剂的国产化研发提供了有力的技术支持。