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国内水泥混凝土外加剂技术资料
高性能NiZn铁氧体材料
来源:国际新技术资料网
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作者:泛舟
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发布时间: 2014-06-23
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NiZn铁氧体材料具有高电阻率、高居里温度、低温度系数、良好高频性能等优点，被广泛应用于射频宽带和高频抗电磁干扰等领域。近年来，随着射频铁氧体宽带器件的发展，对具有高磁导率特性的NiZn铁氧体的需求与日俱增。该材料具有典型的弛豫型磁谱，用其制作的宽频带器件，可实现宽频域内射频信号的能量传输和阻抗变换。而射频宽带器件的一种重要发展方向就是具有更宽的工作频域、宽的工作温度范围以及高可靠性，特别是在恶劣的环境下都能够正常的工作。如在低功率宽频带变压器中，频带宽度与漏感系数成反比，而材料的磁导率与漏感系数也成反比，即高磁导率材料制成的变压器拥有较宽的工作频带。
值得注意的是，高的居里温度是宽频带器件在宽温度范围内工作的必备条件，而高的电阻率则可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，因此，兼具高磁导率、高居里温度以及高电阻率特性的NiZn铁氧体材料的研制迫在眉睫，其市场需求十分巨大。
近年来，国内外发达国家的著名公司和研发机构十分重视高磁导率NiZn铁氧体材料的研发，如FerriteDomen公司的1500HHC,NationalMagnetics公司的N23、TDK公司公布的L6,Ferroxcube公司的4A15，Epcos公司的Μ13，YoungHwa公司的YH_20R，韩国Samwha公司的SN-20，金宁三环高技术磁业有限公司的JRl.5Κ(，东磁公司的DN200，天通公司的ΤΝ200Β等等。纵观高磁导率NiZn铁氧体材料可知，国内外各大研究机构都非常关注这方面的研制和开发工作，材料具有高的磁导率、高居里温度以及高电阻率，如Ν23、L68、M13、YH-20R、DN200以及TN200B，但其磁导率一般在2000〜2300、居里温度低于95〜110°C、电阻率IO5〜106Ω.πι。
对NiZn铁氧体材料而言，只是考虑满足高磁导率一个参数或者满足高磁导率和高居里温度两个参数，是较容易实现的。如国内现有高磁导率和高居里温度的NiZn铁氧体材料，其磁导率Ui为3000，居里温度T。高达105°C，能够非常好地满足高磁导率和高居里温度的要求，但由于其采用了富铁配方，其导电机制属电子导电，因此较之缺铁组成的NiZn铁氧体而言，其电阻率要低几个数量级，易出现高频电子打火问题。
国内现有宽温高磁导率的NiZn铁氧体材料，该材料在宽温范围内具有高的磁导率，但仍不足2000；还有高磁导率的NiZn铁氧体材料，其磁导率约为2500，居里温度大于100°C，但其配方中价格昂贵的NiO含量大于等于15mol%，不利于成本的降低。
据恒志信网消息：针对现有技术设计的NiZn铁氧体所存在的高磁导率、高居里温度及高电阻率三个关键参数难以同时满足的技术难题，国内最新研制成功一种兼具高磁导率、高居里温度及高电阻率特性的NiZn铁氧体材料配方和制备方法。
新技术的核心思想是:采用适量的NiZn铁氧体缺铁配方，则其导电机制为P型，材料具有高的电阻率，可避免高频下电子打火问题；采用适量的CuO替代价格昂贵的NiO，一方面可保证材料的理论分子磁矩无明显降低，对饱和磁感应强度无显著的恶化效果，另一方面可显著降低烧结温度近200°C，在实现低温烧结的同时可保证材料具有高的烧结密度，且在原材料成本上大幅度降低，同时可降低能耗30%以上；同时，在配方中尽可能降低ZnO含量，进而保证材料具有高的居里温度。在掺杂剂上，采用Mo03、V205、Bi203、Nb205、纳米TiO2等掺杂剂的助熔和阻晶双性作用，实现复合掺杂剂交互作用的控制，一方面提高烧结密度，增大磁化动力，降低磁化阻力，提高磁导率，另一方面，控制晶粒尺寸不宜过大，可提高材料的晶界电阻率，进而提高材料的电阻率。即:通过高磁化动力和低磁化阻力的控制，实现NiZn铁氧体材料高的磁导率；通过非磁性离子(Zn2+离子)的减小、磁性离子浓度的增加，增强A、B次晶格间的超交换作用，实现NiZn铁氧体材料高的居里温度；通过P型半导体组成的构建，实现NiZn铁氧体材料高的电阻率。
新技术其材料具有高磁导率(U1:2500±20%)、高居里温度(Te:120°C)及高电阻率(P:106Ω.m)等特性。
新技术的NiZn铁氧体材料的制备技术，其技术指标如下:
起始磁导率μj:2500±20%
饱和磁感应强度Bs:280mT(25°C)
里温度Tc:120°C
矫顽力Hc:10A/m
比损耗系数tanS/^1:15Χ1(Γ6
电阻率P:106Ω.m
密度db:5.2g/cm3
新技术提出的NiZn铁氧体材料可为射频宽带和高频抗电磁干扰等领域解决如下三个方面的关键技术问题:
其一，高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；
其二，高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；
其三，高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。
该产品详细制造技术工艺配方请见: 《国内外镍锌铁氧体材料及制品制造专利新技术工艺配方精选汇编》
值得注意的是，高的居里温度是宽频带器件在宽温度范围内工作的必备条件，而高的电阻率则可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，因此，兼具高磁导率、高居里温度以及高电阻率特性的NiZn铁氧体材料的研制迫在眉睫，其市场需求十分巨大。
近年来，国内外发达国家的著名公司和研发机构十分重视高磁导率NiZn铁氧体材料的研发，如FerriteDomen公司的1500HHC,NationalMagnetics公司的N23、TDK公司公布的L6,Ferroxcube公司的4A15，Epcos公司的Μ13，YoungHwa公司的YH_20R，韩国Samwha公司的SN-20，金宁三环高技术磁业有限公司的JRl.5Κ(，东磁公司的DN200，天通公司的ΤΝ200Β等等。纵观高磁导率NiZn铁氧体材料可知，国内外各大研究机构都非常关注这方面的研制和开发工作，材料具有高的磁导率、高居里温度以及高电阻率，如Ν23、L68、M13、YH-20R、DN200以及TN200B，但其磁导率一般在2000〜2300、居里温度低于95〜110°C、电阻率IO5〜106Ω.πι。
对NiZn铁氧体材料而言，只是考虑满足高磁导率一个参数或者满足高磁导率和高居里温度两个参数，是较容易实现的。如国内现有高磁导率和高居里温度的NiZn铁氧体材料，其磁导率Ui为3000，居里温度T。高达105°C，能够非常好地满足高磁导率和高居里温度的要求，但由于其采用了富铁配方，其导电机制属电子导电，因此较之缺铁组成的NiZn铁氧体而言，其电阻率要低几个数量级，易出现高频电子打火问题。
国内现有宽温高磁导率的NiZn铁氧体材料，该材料在宽温范围内具有高的磁导率，但仍不足2000；还有高磁导率的NiZn铁氧体材料，其磁导率约为2500，居里温度大于100°C，但其配方中价格昂贵的NiO含量大于等于15mol%，不利于成本的降低。
据恒志信网消息：针对现有技术设计的NiZn铁氧体所存在的高磁导率、高居里温度及高电阻率三个关键参数难以同时满足的技术难题，国内最新研制成功一种兼具高磁导率、高居里温度及高电阻率特性的NiZn铁氧体材料配方和制备方法。
新技术的核心思想是:采用适量的NiZn铁氧体缺铁配方，则其导电机制为P型，材料具有高的电阻率，可避免高频下电子打火问题；采用适量的CuO替代价格昂贵的NiO，一方面可保证材料的理论分子磁矩无明显降低，对饱和磁感应强度无显著的恶化效果，另一方面可显著降低烧结温度近200°C，在实现低温烧结的同时可保证材料具有高的烧结密度，且在原材料成本上大幅度降低，同时可降低能耗30%以上；同时，在配方中尽可能降低ZnO含量，进而保证材料具有高的居里温度。在掺杂剂上，采用Mo03、V205、Bi203、Nb205、纳米TiO2等掺杂剂的助熔和阻晶双性作用，实现复合掺杂剂交互作用的控制，一方面提高烧结密度，增大磁化动力，降低磁化阻力，提高磁导率，另一方面，控制晶粒尺寸不宜过大，可提高材料的晶界电阻率，进而提高材料的电阻率。即:通过高磁化动力和低磁化阻力的控制，实现NiZn铁氧体材料高的磁导率；通过非磁性离子(Zn2+离子)的减小、磁性离子浓度的增加，增强A、B次晶格间的超交换作用，实现NiZn铁氧体材料高的居里温度；通过P型半导体组成的构建，实现NiZn铁氧体材料高的电阻率。
新技术其材料具有高磁导率(U1:2500±20%)、高居里温度(Te:120°C)及高电阻率(P:106Ω.m)等特性。
新技术的NiZn铁氧体材料的制备技术，其技术指标如下:
起始磁导率μj:2500±20%
饱和磁感应强度Bs:280mT(25°C)
里温度Tc:120°C
矫顽力Hc:10A/m
比损耗系数tanS/^1:15Χ1(Γ6
电阻率P:106Ω.m
密度db:5.2g/cm3
新技术提出的NiZn铁氧体材料可为射频宽带和高频抗电磁干扰等领域解决如下三个方面的关键技术问题:
其一，高磁导率可获得低的漏感系数，有利于拓宽器件的工作频带；
其二，高居里温度可拓宽器件的工作温度范围，有利于器件在不同的环境下工作；
其三，高电阻率可避免宽带器件在MHz频段出现电子打火问题，提高系统和器件的可靠性。
该产品详细制造技术工艺配方请见: 《国内外镍锌铁氧体材料及制品制造专利新技术工艺配方精选汇编》
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