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《绿色环保内墙涂料制造工艺配方精选》


         国际新技术网编辑:为了更好的为读者呈现国际、国内外新型涂料技术详细内容,满足企业读者不同需求,共同探讨涂料制造的技术动态,恒志信科技公司独家推出《涂料新技术》资料版块,深度披露现今涂料制造与研制的发展方向,以及新工艺和产品用途,呈现我国涂料未来研制的技术环境及产品走向,欢迎关注!


         内墙涂料就是一般装修用的乳胶漆。乳胶漆即是乳液性涂料,按照基材的不同,分为聚醋酸乙烯乳液和丙烯酸乳液两大类。乳胶漆以水为稀释剂,是一种施工方便、安全、耐水洗、透气性好的的涂料,它可根据不同的配色方案调配出不同的色泽。种类:水性内墙漆、油性内墙漆、干粉型内墙漆,属水性涂料,主要由水,乳液,颜料,填料,添加剂五种成分构成。


涂料分类

第一类是低档水溶性涂料,是聚乙烯醇溶解在水中,再在其中加入颜料等其他助剂而成。为改进其性能和降低成本采取了多种途径,牌号很多,最常见的是106、803涂料。该类涂料具有价格便宜、无毒、无臭、施工方便等优点。由于其成膜物是水溶性的,所以用湿布擦洗后总要留下些痕迹,耐久性也不好,易泛黄变色,但其价格便宜,施工也十分方便,目前消耗量仍最大,多为中低档居室或临时居室室内墙装饰选用。


第二类是乳胶漆,它是一种以水为介质,以丙烯酸酯类、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、醋酸乙烯酯类聚合物的水溶液为成膜物质,加入多种辅助成分制成,其成膜物是不溶于水的,涂膜的耐水性和耐侯性比第一类大大提高,湿擦洗后不留痕迹,并有平光、高光等不同装饰类型。由于其色彩较少,装饰效果与106类相似,再加上宣传力度不够,价格又比106类涂料高得多,所以尚未被普遍认识。其实这两类涂料完全不是一个档次,乳胶漆在国外用得十分普遍,是一种既有前途的内墙装饰涂料。


第三类,新型的粉末涂料,包括硅藻泥、海藻泥、活性炭墙材等,是目前比较环保的涂料。粉末涂料,直接兑水,工艺配合专用模具施工,深受消费者和设计师厚爱。


第四类是水性仿瓷涂料,其装饰效果细腻、光洁、淡雅,价格不高,施工工艺繁杂,耐湿擦性差。水性仿瓷涂料(环保配方):它包含方解石粉、锌白粉、轻质碳酸钙、双飞粉、灰钙粉,其特征在于它采用水溶性甲基纤维素和乙基纤维素的混合胶体溶液来作为混合粉料的溶剂;该仿瓷材料中各组成物的主要配比为:方解石粉料20-25份,锌白粉5-15份,轻质碳酸钙15-25份,双飞粉20-35份,灰钙粉15-25份,蒸馏水70份,甲基纤维素0.6份,乙基纤维素0.4份。该水性仿瓷涂料配方中可掺入适量钛白粉。该水性仿瓷涂料在调配和施工中不存在刺激性气味和其它有害物质。

仿瓷涂料不但在家装和墙艺中运用,而且在工艺品中也可以但到很好的效果,用这种涂料喷涂的产品仿瓷效果,可以到达逼真的程度。


第五类是十分风行的多彩涂料,该涂料的成膜物质是硝基纤维素,以水包油形式分散在水相中,一次喷涂可以形成多种颜色花纹。


第六类,又称液体墙纸,液体壁纸,是流行趋势较大的内墙装饰涂料,效果多样,色彩任意调制,而且可以任意订制效果,相比于第四类有超强的耐摩擦,抗污性能,而且工艺配合专用模具施工方便。



         本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供内墙涂料技术制造工艺配方汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试,对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。


         本篇系列汇编资料分为为精装合订本和光盘版,内容相同,用户可根据自己需求购买。


《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

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GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
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目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所