《高性能等静压石墨制造工艺配方精选》

    结构精细致密、均匀性好、力学性能优异,大规格石墨制品

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New Technology Of High Purity Graphite
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2024新版《等静压、各向同型石墨制造工艺配方精选》


        国际新技术网编辑:为了更好的为读者呈现国际、国内外新型石墨制造技术详细内容,满足企业读者不同需求,共同探讨石墨制造的技术动态,恒志信科技公司独家推出《石墨新技术》资料版块,深度披露现今石墨制造与研制的发展方向,以及新工艺和产品用途,呈现我国石墨未来研制的技术环境及产品走向,欢迎关注!


        等静压石墨由高纯石墨压制而成。等静压石墨是国际上近50年来发展起来的新产品,与当今高科技紧密相联。作为全球制造业大国和最大的光伏产品生产国,中国一直保持巨量的等静压石墨需求。当前,随着国内光伏产业的迅猛发展,中国等静压石墨需求量逐年扩大。同期,由于中国等静压石墨生产企业技术基础薄弱,加上国外企业的技术封锁,中国等静压石墨产量和质量均未得到有效提升。2023年,中国等静压石墨需求量达1.8万吨,而同期等静压石墨产量仅为9500吨,供应缺口达8500吨。当前,中国新涉足等静压石墨业务企业普遍存在的技术储备不足及产品结构不合理等问题很难短期内得到解决。


         等静压石墨是新型石墨材料,是石墨材料中的精品,由于具有一系列优良特性,它必然会与高新技术、国防尖端技术紧密相联,成为21世纪最有价值的新材料之一。随着经济发展,静压石墨的国内国际市场容量与日俱增,发展潜力巨大。正因如此,目前国内正兴起一股等静压石墨生产热,一些以生产模压石墨为主的炭素生产企业看中这块“大蛋糕”,陆续上马等静压设备,挤身等静压石墨生产行列中来,竞争将不可避免进入白热化状态,竞争的对手包括国外同行。在激烈的市场竞争中,国内等静压石墨生产企业的立足之本和出路是:将产品升级换代,朝大规格、细结构(超细结构)、高强度、高纯度、多功能方向发展,顺应光伏产业、机械制造、核能利用各行业发展趋势,为中国国民经济的发展更好地服务。

 

         中国是一个发展中国家,正在步入重工业化时期,中国已经成为世界级的“制造大工厂”。而且科学技术的发展带来了新的工业革命,等静压石墨材料及制品的广阔应用领域给等静压石墨产业带来了勃勃生机。当前,由于经济危机的爆发,国外炭素产业受到了较严重的影响,于是他们加大了对中国的销售力度。当前中国约能消耗世界等静压石墨产品的1/4,是世界上最大等静压石墨产品市场之一,等静压石墨产业将迎来发展的新阶段。

         本篇是为了配合国家产业政策向广大企业、科研院校提供环氧涂料技术制造工艺配方汇编技术资料。资料中每个项目包含了最详细的技术制造资料,现有技术问题及解决方案、产品生产工艺、配方、产品性能测试,对比分析。资料信息量大,实用性强,是从事新产品开发、参与市场竞争的必备工具。


         本篇系列汇编资料分为为精装合订本和光盘版,内容相同,用户可根据自己需求购买。

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

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GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所