《高质量、大规模石墨烯材料制造新技术工艺汇编》


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  • 涉及国内外近年最新研制的各种各种高质量,高性能,大规模石墨烯材料制造新技术!设备,装置,产品配方 生产工艺。产品新颖,环保,涉及面广。内容涵盖技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、结构设计图(部分设备类有),以及发明人名称、地址、邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。

                                                                                                     新版说


各位读者:大家好!

       自从我公司2000年推出每年一期的石墨及石墨烯制造系列列新技术汇编以来,深受广大企业的欢迎,在此,我们衷心地感谢致力于创新的新老客户多年来对我们产品质量和服务的认同,由衷地祝愿大家工作顺利!  石墨烯的研究已经进入快速发展阶段,石墨烯已经成为当今新材料中的“明星”材料。大规模制备高质量的石墨烯晶体材料是所有应用的基础, 发展简单可控的化学制备方法是最为方便、可行的途径, 这需要长期不懈的探索和努力;企业需要不断的研发出石墨烯及其相关材料,来实现更多的功能和应用。


1.    中国石墨烯行业发展现状
截至2023年我国从事石墨烯产业的企业已突破数千家,产业化应用已在不断推进。我国石墨烯产业已经有超过2000家的制备及相关应用开发企业,目前市场竞争也主要集中在石墨烯规模化制备技术以及与下游商业化应用对接两方面。石墨烯产业最大的瓶颈在于还没有形成完整的产业链,目前仍没有一种可以应用石墨烯的产品能够规模化生产。对石墨烯最大的需求仍然是各大院校及科研机构的研究使用。石墨烯在国内市场上从研发到应用的时间需要5-10年,需达到成熟的产业规模时间则会更长。而国内目前并没有上市公司的主营业务生产石墨烯,只有几家生产碳纤维产品的公司正在进行石墨烯产品的研制,目前都没有大规模量产的能力。中国发表的石墨烯论文主要分布在材料科学、物理化学、纳米技术、应用物理学以及高分子物理学等领域;研究热点主要在纳米材料、材料应用研究等方向。目前国内还没有能够实现石墨批量化生产的企业或研究机构,多数企业只能小量生产石墨烯,所使用的生产技术多为氧化还原法,生产出的石墨烯溶液也存在很多技术上需要突破的问题。目前国内对石墨烯的应用前景颇为看好,石墨烯未来有望应用至多个领域。

     

2.    石墨烯产业化现状及趋势分析中国石墨烯产业化现状分析

从目前公司和各科研单位的进展来看,目前国内的石墨烯企业多为处于创业成长期的中小企业,虽然企业数量初具规模,但龙头企业数量不多,规模也相对较小,较难带动整体产业链的发展和完善。而石墨烯粉体由于下游应用较为广泛分散,多数公司从自己主业出发,研究石墨烯粉体,用作主业产品的添加剂和助剂。多家上市公司有涉及。我国的石墨烯研究正处于从实验室向产业化过渡的阶段。目前国内对石墨烯的应用前景颇为看好,石墨烯未来有望应用至多个领域。但从实际情况看来,产业化尚待时日,制造工艺不稳定,成本居高不下,仍是石墨烯走向产业化的主要制约因素,从制造工艺来看,目前业内通行的方法均有各自的优势和缺陷,产业技术路径仍在探讨之中。


3、  未来的石墨烯产品投资与高端市场
随着石墨烯制备水平的发展和石墨烯应用技术水平的发展,石墨烯材料能够应用在更多的下游产品和领域中,这些待开发的领域都是未来极具投资机会的处女地。根据中国科学院预计,到2024年前后,石墨烯器件有望替代互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,在纳米电子器件,光电化学电池、超轻型飞机材料等研究领域得到应用。关注石墨烯在锂电池、超级电容器、LED以及生物医药行业的应用◆建议:直接与研究机构合作,参与产品开发与其被动的等待研究成果进行投资,积极参与到研究中更具投资价值。国内现在很多企业及资本都把过多的经历放在了氧化石墨烯及石墨烯类的物质上。这些材料性能很一般,成本不低,也很难做出比较高技术含量的产品。把精力放在这些材料上面,与国家想要的石墨烯产业发展是背道而驰的。石墨烯做真正高端的应用,可能会有一些前景。无论是资本还是国家,都应该找到最合适的、最值得的地方去进行投资。目前开展石墨烯研究的主要是高校科研院所等研究单位和少数企业,研究力量比较分散,要尽快实现石墨烯产业化,必须通过技术创新和产学研协作,建立一条完整的石墨烯研发、生产、应用的全产业链,打造公共科技服务平台和测试平台,优化研究和产业化生产环境。


       国家提出的十大重点产业调整和振兴规划,以及新近发布的关于加快七大战略性新兴产业发展的决定,对现代高端制造业及其未来技术发展提出了更高的要求。为推动国内现代制造业的技术升级和产品换代,实现节能环保、减排增效和绿色制造的目标,促进国民经济的高效和持续发展。提高石墨材料及制品的产品质量,我公司特推出本期新技术工艺配方汇编。本期所介绍的资料,系统全面地收集了到2023年石墨及石墨烯制备制造最新技术,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多 优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,这些优秀的新产品的生产工艺、技术配方非常值得我们去学习和借鉴。

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《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》

《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》

【资料页数】809页 (大16开 A4纸)
【资料内容】制造工艺及配方
【项目数量】52项
【交付方式】中通特快专递
【合 订 本】书籍资料:1580元(上、下册)
【电 子 版】1360元 光盘


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《人造金刚石大颗粒单晶生长技术工艺精选汇编》涉及国内外著名公司、科研单位、知名企业的最新专利技术全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、环保性强是从事高性能、高质量、产品加工研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。

       资料中包括制造人造金刚石原料,技术配方、生产工艺、处理工艺、成型工艺、产品性能测试及标准、解决的具体问题、产品制作实施例等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。本篇专集资料分为上、下两册,A4纸大,共809页现货发行,欢迎订购!

内容描述:
1西安交通大学横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法

将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接,在接缝处生长出桥状连接部分,并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层;其中,单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显,金刚石容易发生相对移动的问题,从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险

2单晶金刚石的生长方法,这种生长方法通过三层结构来生长高质量单晶金刚石
解决了传统金刚石生长过程中外延层高的生长速率与外延层质量之间相矛盾的问题

3武汉大学单晶金刚石生长方法和装置,能够实现大尺寸单晶金刚石的快速生长
所提供的单晶金刚石生长方法,包括如下步骤:将金刚石衬底放置于谐振腔中;将含有碳源和氢气的反应气体通入电离腔中进行充分电离,然后将电离后的气体通入谐振腔中进行微波等离子体化学气相沉积,在衬底上快速生长金刚石

4六号元素有限公司一种单晶CVD合成金刚石层
包括非平行的位错阵列,其中当在X射线形貌断面图中观察或在发光条件下观察时,非平行的位错阵列包含形成一组相互交叉的位错的多个位错

5激光增强等离子体CVD制备单晶金刚石装置及其方法
结合微波能(或电能)和激光两种能量,利用低成本的高能量激光提高金刚石合成过程中等离子体的能量和气体离解速率,从而提高金刚石的合成速率,该方法有效解决了金刚石高速批量制备的难题

6单晶金刚石制备装置以及方法
该单晶金刚石制备装置,在制备单晶金刚石的过程中,使反应气体经过掺杂装置,从而将水蒸气带入到反应腔内,实验结果表明,通入水蒸气制得的金刚石颜色和纯净度比不通水蒸气更好,而且外缘处的几乎无多晶产生

7金刚石制备技术领域,公开了一种拼接生长单晶金刚石的方法及系统
采用CVD法拼接生长单晶金刚石,达到大面积生长单晶金刚石的目的,现有单晶金刚石的生长只能在原有的籽晶上进行纵向扩大,这样籽晶的尺寸直接决定了合成的尺寸,采用两个尺寸相同,厚度接近的单晶金刚石片进行固定拼接,然后同时生长,获得大尺寸单晶金刚石,解决了瓶颈问题

8金刚石单晶生长装置及方法
装置包括:沉积台和可升降中心柱;所述沉积台上设有沉积台孔,可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱,孔柱设置在沉积台孔中。能够有效地提高金刚石单晶生长质量,解决一次生长不了太厚的问题

9浙江工业大学锗空位(Ge‑V)发光的金刚石颗粒及其制备方法
在石英衬底上采用磁控溅射的方法,制备一系列不同厚度的锗涂层样品;在步骤(1)得到的衬底上采用热丝化学气相沉积的方法制备分散的金刚石颗粒。提供的具有Ge‑V发光的金刚石颗粒的尺寸为0.5~3.5μm,对于实现其在单光子源、量子信息处理、光电子器件等领域的应用具有非常重要的科学意义和实际价值

10微波等离子体化学气相沉积方法生长单晶金刚石领域,梯度单晶金刚石及其制备方法
采用微波等离子体化学气相沉积设备,在氢气甲烷混合气源中连续性梯度浓度通入高纯空气,实现不含氮的高质量单晶金刚石层和含氮金刚石层的交替沉积,制备出高质量、高强度、韧性好的梯度单晶金刚石

11基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法
利用微波等离子体化学气相沉积法高温刻蚀Ⅱa型单晶金刚石,利用产生的碳源生长金刚石,能有效提高单晶金刚石生长所需碳源的纯度,
得到的单晶金刚石质量好,且生长出的单晶金刚石为与基底相对应的规则形状,提高利用率

12CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法
通过激光刻蚀技术将金刚石表面图案化的特殊结构设计,控制单晶金刚石图案层横向与纵向的生长速率,通过一次或多次图案化处理有效抑制生长过程中位错的产生,获得高质量的单晶金刚石。优势是在生长过程中控制单晶金刚石横向和纵向的生长速率比值,保证在凹槽内生长方向与位错线方向垂直,消除衬底凹槽底部的位错遗传,提高金刚石生长层的晶体质量

13利用方形槽镶嵌式衬底托抑制多晶金刚石生长的方法
由于石墨体在衬底与衬底托之间沉积,衬底侧边与衬底托有接触,增大了衬底边缘的冷却效果,优化单晶金刚石衬底整体温度均匀性;极大地避免了衬底边缘出现多晶生长。通过实验发现利用方形槽镶嵌式衬底托可有效抑制了单晶金刚石在生长过程中的边缘多晶,获得了尺
寸不缩小的单晶金刚石样品

14大颗粒金刚石的制备方法
能够制备大颗粒的金刚石,晶型完整,成本低且工艺简单

15信越化学工业株式会社一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法,以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板

16河南工业大学类金刚石直接转化合成纯相多晶金刚石的制备方法
采用类金刚石粉末为原材料,经净化除杂、预压成型后,不添加任何粘结剂,装配烧结单元,经高温超高压烧结制备纯相多晶金刚石。制备得到的多晶金刚石的晶粒尺寸为5纳米 ‑ 100微米,大面积形成高强度的金刚石—金刚石成键的界面。多晶金刚石的硬度与金刚石单
晶硬度相当;热稳定性,硬度,及耐磨性明显优于含金属或陶瓷粘结剂的多晶金刚石

17中国科学院半导体研究所异质外延金刚石及其制备方法
该异质外延金刚石包括:异质衬底;石墨烯柔性层,制备于异质衬底上;金刚石层,外延生长于石墨烯柔性层上;石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层,消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低

18住友电气工业株式会社:单晶金刚石生产方法
其包括一组彼此相对的主表面,其中,在主表面中,杂质浓度沿着第一方向变化

19住友电气工业株式会社:金刚石包含氮原子的生产方法
该氮原子的浓度沿着金刚石单晶的晶体取向周期性地变化。沿着晶体取向的一个周期的距离的算术平均值Aave、最大值Amax和最小值A min 满足由下式(I)表示的关系:(Amax)/1.25≤ (Aave)≤(Amin)/0.75(I)

20二A科技有限公司单晶金刚石及其生长方法
单晶金刚石

21住友电气工业株式会社单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具
在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,单晶金刚石材料具有偏角为20° 以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓
度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面

22含硼金刚石及其制备方法和用途
涉及金刚石领域,该含硼金刚石为多晶结构,该含硼金刚石为多晶结构,解决了现有技术中含硼金刚石为单晶结构时把持力差、容易脱落和不够锋利的问题,解决了现有技术中的多晶金刚石在高温下容易膨胀、破碎的技术问题,可以用作陶瓷和金属结合剂磨具。该含硼金刚
石改善了多晶金刚石的热力学稳定性,拓展了多晶金刚石的使用范围

23浙江工业大学Si‑V发光的纳米金刚石晶粒
采用热丝化学气相沉积法,简单易行、容易操作,制备了尺寸在70~100nm的Si ‑V发光的纳米金刚石晶粒,其晶型规则,发光峰的归一化强度约为4.5,为纳米金刚石在生物标记等领域的应用提供了重要基础

24河南理工大学人工合成大尺寸单晶金刚石片方法
包括生产晶种,合成组装块装配及合成加工等三步,与现有技术相比,可有效提高人工合成金刚石的直径,并实现同批次的人工合成金刚
石生产中可同时制备不同直径人工合成金刚石的需要,从而在有效满足市场对单晶金刚石需求的同时,另可有效的满足市场对小直径单晶
金刚石的需要,并可有助于降低人工合成金刚石生产的成本

25一种人工生长大颗粒金刚石单晶的方法及装置
能够有效避免了大颗粒金刚石单晶生长过程中的金属夹带现象,生长出了粒径大于10mm的大颗粒金刚石单晶,大幅度提高生产效率

26一种具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置
方法是向作为碳源的石墨中掺加氮化硼,使金刚石晶体在生长过程中有硼原子掺杂,高温高压条件下,将金刚石晶种置于金属触媒的底部,利用温度梯度法生长;采用高温高压条件,以掺加硼的石墨为碳源,利用温度梯度法生长出了粒径大于10mm且具有半导体性质的Ⅱb
型的金刚石单晶

27住友电气工业株式会社单晶金刚石及其制造方法
包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件,适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等

28住友电气工业株式会社提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具
单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子,且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02%以上且低于40%

29信越化学工业株式会社金刚石膜的制造方法
其特征是至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由单晶基板分离该金刚石膜的工序,单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶,单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用,由单晶基板分离该金刚石膜的工序是,通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温,利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜

30哈尔滨工业大学一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法
涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响,等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低,以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题

31金刚石涂层及沉积该涂层的方法
涉及金刚石涂层,其特征在于它包含至少一个第一纳米晶金刚石层和第二微晶金刚石层的叠层

32哈尔滨工业大学异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法
在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层,提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量,从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能;由于使用了TiN缓冲层,整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行,使得外延成本大大地降低,
同时基于Si衬底生长金刚石,可以更好地与电子信息工业相匹配

33六号元素有限公司制备鲜艳橙色的合成CVD金刚石材料的方法
方法包括辐照已经由CVD生长的单晶金刚石材料从而将孤立空位引入至少一部分的CVD金刚石材料中,并且随后退火该辐照的金刚石材料,从而由至少一些所引入的孤立空位形成空位链。还描述了鲜艳橙色的CVD金刚石材料

34信越化学工业株式会社研制单晶金刚石的制造方法
一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法

35超细颗粒金刚石单晶的合成方法
采用的触媒粉末为Ni基合金触媒粉末。利用可制备超细颗粒的金刚石单晶,合成的400目以细超细颗粒金刚石含量达90%以上,晶形完整率达85%以上;有效地解决了现有技术难以合成超细颗粒金刚石的不足;金刚石晶型完整,纯净度高、热冲值达80~87%

36上海交通大学超细金刚石单晶微粉的制备方法
包括以机械破碎法得到的金刚石微粉作为籽晶,采用光刻胶超声振动均匀分散金刚石晶种工艺,将籽晶均散在硅基衬底表面,金刚石微粉的粒度为M0/1~M6/12;应用热丝化学气相沉积法对经过播种籽晶的硅基衬底进行沉积,获得金刚石单晶颗粒;采用化学腐蚀硅基衬底结合高速离心沉降颗粒工艺处理获得的金刚石单晶颗粒,以获得超细单晶金刚石微粉

37上海交通大学硼掺杂超/精细金刚石单晶微粉的制备方法
超/精细金刚石微粉中具有六-八面体或二十面体聚形晶体形态的比例较高,不但可显著提高超/精细金刚石单晶颗粒的生长速率,还可
改善颗粒的晶形及表明质量

38六号元素技术有限公司合成金刚石材料
其包含一个或多个自旋缺陷,该一个或多个自旋缺陷具有不大于100MHz的半峰全宽固有非均匀的零声子谱线宽度。用于获得这样的
材料的方法包括多阶段退火过程

39六号元素技术有限公司一种着色的单晶CVD合成金刚石材料
其包含:多个层;其中所述多个层包括至少两组层,所述至少两组层在它们的缺陷组成和颜色方面不同,其中所述至少两组层各自的缺陷类型、缺陷浓度和层厚度为:如果将所述着色的单晶CVD金刚石材料制造成圆形明亮式切割金刚石,该圆形明亮式切割金刚石包含台面和底尖,并且具有大于1mm的台面至底尖深度

40N型半导体金刚石单晶及其生产方法
单晶导电性较好,光热转换效率高,适合于太阳能电池、LED光源、高性能芯片的制作,产品性能稳定

41六号元素技术有限公司一种单晶CVD合成金刚石材料
颜色强度在单晶CVD合成金刚石材料中是均匀的,使得以灰度值标准偏差除以灰度值平均值为特征的灰度色的变化小于40%

42住友电气工业株式会社单晶金刚石
其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍;并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下

43东山国际有限公司在反应池中的用于金刚石生长的多层结构
该多层结构包括:金刚石晶种;设于金刚石晶种上的第一金属催化层,该第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于第一金属层之上的第二金属催化层,该第二金属催化层包含高于第一浓度的第二浓度的碳;以及设于第二金属层之上的碳源层

44吉林大学金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域
具有操作简单,成本低,可大面积生产,刻蚀气体安全无污染等优点;将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合,为金纳米颗粒提供稳定的基底,能改善金纳米颗粒在应用中所存在的易聚合及加入稳定剂造成表面污染的问题

45株式会社神户制钢所提供一种排列有大型的多边形金刚石晶粒的阵列化金刚石膜
通过容易地使避开晶界的元件配置形成,由此,能够实质上与在单晶基板上同等地高效地制造高性能的元件,并通过沿着晶界分割从而能够容易地制造元件。该阵列化金刚石膜是在 不同种材料的结晶基板上,接着其结晶方位的信息开始成长的高取向金刚石膜,其中,在表面中,多边形金刚石晶粒以重心间距离为20 μm 以上的二维重复图案排列

46信越化学工业株式会社单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法
能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的,以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法

47一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法
通过调控等离子体的流体特性,构建出稳定的层流等离子体边界层,使单晶金刚石能够在大尺寸衬底上进行稳定生长。从而避免当前直流等离子体沉积单晶金刚石的多晶化和小尺寸衬底的问题。提供了一条适合采用大尺寸籽晶、稳定制备单晶金刚石的途径,使单晶金刚石稳定生长区尺寸在等离子体运动轴线方向达到7厘米,并有效抑制了单晶生长表面的多晶化

48六号元素有限公司一种用于在合成环境中在基底上合成金刚石材料的化学气相沉积(CVD)方法
涉及用于合成合成CVD金刚石材料的方法和高品质的合成CVD 金刚石材料

49能够用于高精度抛光加工的纳米单晶金刚石
该纳米单晶金刚石是将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒通过球磨粉碎制成。能够以便捷可行的途径获得纳米级单晶金刚石,并且生产成本相对较低

50住友电气工业株式会社适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石
其具有更少畸变并且具有大的面积。是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法,其中,当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到单晶金刚石的一个主面上时,在从相反的主面出来的两条相互垂直的线性偏振光之间的最大延迟值横跨整个单晶金刚石最大不超过 50nm /100μm的厚度

51华盛顿卡内基研究所超硬金刚石及其制造方法
一种通过微波等离子体化学气相沉积生长、在超过4.0GPa的压力下加热到超过1500℃的温度进行退火的单晶金刚石,其硬度大于120GPa

52六号元素有限公司单晶CVD(化学气相沉积)金刚石体,耐磨应用中的CVD金刚石
其特别适合用作用于耐磨应用的耐磨材料,如拉丝模具、绘画工具等。金刚石具有低的磨损速率,表现出指示低应变的低的双折光指数,并具有可以被加工以表现出高表面抛光的能力


     《高质量、大规模石墨烯材料制造新技术工艺汇编》​部分内容介绍
















亲疏水性可控的还原氧化石墨烯技术配方
















新技术:低能耗高效还原氧化石墨烯制备石墨烯配方















石墨烯技术要闻:石墨烯在众多领域有着巨大的应用前景。如在生物医药领域,水性石墨烯分散液具有很好的生物相容性,可用于药物的载体、基因检测以及生物成像等。同时,石墨烯分散液在基底上通过旋涂或喷涂的方式可制备透明导电薄膜。此外,石墨烯分散液在纳米复合材料领域也有着重要的应用前景,如提高材料的耐磨性、抗压强度、拉伸强度等性能。石墨烯粉体可通过还原氧化石墨烯浆料经过过滤、干燥制备得到,目前己在新能源、导热散热膜、催化领域表现出很好的应用前景。







国内企业优秀技术:涉及化学还原法还原氧化石墨烯制备石墨烯技术领域,具体涉及一种低能耗高效还原氧化石墨烯制备石墨烯的方法。解决常用的还原剂有水合月井、金属氢化物、硼棚氢化纳、对苯二酚等。水合肼因其毒性较大,现逐渐被其它还原方法取代:金属氢化物作为强还原剂使用过程中存在一定安全隐患:对苯二还原氧化石墨烯的条件是回流20h,耗能高,效率低,且还原得到的石墨烯不能稳定存在于水溶液中:这些还原剂较难以用来大量生产石墨烯,从而限制了石墨烯的应用研究的问题。新研制石墨烯产品具有安全无毒、低耗能、高效率的特点,同时邻苯二对氧化石墨烯的还原效率高,还原后得到的溶液稳定性好,可以长时间保存,洗涤干燥得到的最终产物具有一定的导电性。

南京工业大学技术:一种还原氧化石墨烯亲疏水性可调控的制备方法。该方法制得的还原氧化石墨烯具有单层或少层、亲疏水性可控的特点。如何实现高纯度、高质量、低成本、工艺过程环保的还原氧化石墨烯的制备,并使其亲疏水性可调控制,能够在不同的溶剂中均匀稳定分散,是当前学术界和产业界关注和研究的重点。

                            















怎么降低成本


(a) 称取氧化石墨烯置于样品瓶中,向氧化石墨烯中加入去离子水,将样品瓶放入超声波清洗机中经超声30min,得到黄棕色的氧化石墨烯分散液,超声分散后氧化石墨烯的浓度为1mg/mL 。然后称取质量为氧化石墨烯质量1%~10%的还原剂邻苯二酚,并将邻苯二酚加入到氧化石墨烯的分散液中,连续搅拌使邻苯二酚充分溶解,得到混合溶液。
(b) 将装有混合溶液的样品瓶放入烘箱中加热,烘箱温度设置为80℃,放入烘箱中加热的时间为0-3h 。得到黑色分散液,将得到的黑色分散液经过滤,洗涤,真空干燥得到产物,得到的黑色分散液过滤后用1: 1 的乙醇/水混合液洗涤,真空干燥的条件为60 ℃,并对产物进行表征。

1. 氧化石墨烯分散液的制备:称取10mg氧化石墨烯置于20mL样品瓶中,向氧化石墨烯中加入适量的去离子水,配制成1mg/ml的分散液,将样品瓶放入超声波清洗机中经超声30min,得到黄褐色分散均匀的氧化石墨烯分散液。

2. 石墨烯的制备:向氧化石墨烯的分散液中加入1%的邻苯二充分溶解后,放入80℃的烘箱中,加热3h,对氧化石墨烯进行还原,得到的黑色液体可稳定放置1个月。对还原后得到的黑色液体进行过滤,得到的滤饼用乙醇和水的混合溶剂洗涤,最后使用真空干燥箱在60℃下干燥,对最终产物进行表征。

环保及降低成本:现有技术的改进

(1) 氧化石墨烯分散液的制备
将氧化石墨烯分散至去离子水中,配置成浓度为0.05mg/ml 的氧化石墨烯分散液,其中氧化石墨烯的尺寸为0.05阳。
(2) 氧化石墨烯分散液pH值的调节
采用碱度调节剂氢氧化钠对步骤(1)中制备的0.05mg/ml 的氧化石墨烯分散液的pH值进行调节,获得pH =
11的氧化石墨烯分散液。
(3) 氧化石墨烯分散液的溶剂热还原
对步骤(2) 中制备的pH=11 的氧化石墨烯分散液进行溶剂热还原,还原条件为反应温度120 ℃,时间6h,制备得到还原氧化石墨烯分散液。
(4) 还原氧化石墨烯粉体的制备














图片展示
















获得的还原氧化石墨烯在水中的分散性数码照片,如图l(a) 所示,表现出良好的亲水性,能够长期稳定分散。图(b) 所示为还原氧化石墨烯粉体的扫描电子显微镜照片,可以看出其表面有明显的褶皱感,层数非常薄,没有发生团聚现象。

与现有技术相比,技术优势在于:

 (1)采用一步溶剂热法,在密闭容器中对具有一定pH值的氧化石墨烯分散液及浆料进行还原,通过调控体系的温度和压力,促使氧化石墨烯逐渐脱去含氧官能团而被还原。通过调节体系的pH值,同时结合溶剂热反应温度、时间以及溶剂类型实现还原氧化石墨烯亲疏水性可调控制,特别是在高pH值体系中使产物具有亲水特性,在低pH值体系中使产物具有疏水特性。

(2) 还原氧化石墨烯制备温度较低,无需添加任何还原剂,可获得高纯度、高质量的还原氧化石墨烯产品,还能有效避免使用常规有毒、强腐蚀性还原剂所带来的危害和污染,有利于还原氧化石墨烯的规模化制备。
 (3)所制备的还原氧化石墨烯以单层或少层结构形式存在,还原程度较高,可实现在不同极性大小溶剂中的均匀稳定分散。
 (4) 此外,制备工艺简单环保、成本较低、生产效率高,可有效推进石墨烯在生物医药领域、电力电子、先进制造领域的广泛应用。
图1 为氧化石墨烯(GO)和还原氧化石墨烯(rGO) 的红外光谱图:
图2 为氧化石墨烯(GO)和还原氧化石墨烯(rGO)的X射线光电子能谱(XPS) 图3 氧化石墨烯的电镜图:
图4 还原氧化石墨烯的电镜图:
















技术特点及优势: 采用邻苯二酚作为还原剂,而且邻苯二质量为氧化石墨烯质量1%~10% ,一定量的邻苯二酚对氧化石墨烯的还原效率高,还原后得到的溶液稳定性好,可以长时间保存,而且过滤、洗涤、真空干燥所得到的最终产物具有一定的导电性,具有安全无毒、低耗能、高效率的特点

3、什么是虚假专利,虚假“专利的危害

有的企业为了让产品名声响亮,利用人们的专利的认识不足,通过虚报专利谎称自己的产品有某专利,还在宣传材料、展板和包装上印专利号,这些伪劣专利、虚假专利在专利文件书写时采用虚假技术工艺、虚假配方进行专利申请,其目的仅是为了获取专利申请号,而不是为了知识产权法律保护而真正意义上的技术公开和法律保护!


这些伪劣虚假的“专利”,完全没有通过国家专利审查。不仅危害了市场消费者,同时也误导了科研技术人员、误导了新产品投资者!这些虚假技术文献甚至会导致企业研发走入误区,不仅影响新产品开发效率,而且还会造成科研经济损失!利用真正有价值的专利资料,也是我们技术文献情报工作者所追求的目的!


4、《精选》经过专利实质审查制的专利能保证技术工艺、配方“充分公开

根据我国《专利法》第二十六条第三款所述的“充分公开”应当是针对所有本领域的技术人员,要求每一个本领域技术人员在阅读了专利说明书之后都能实现其发明创造。


“充分公开”是专利审查的重要环节,没有“充分公开”的专利申请,不会通过审查,也不会获得专利权。因此经过专利实质审查制的专利能保证“充分公开”。按照专利法审查规定:本领域技术人员在阅读了专利说明书之后都能实现其发明创造。


5、《精选》中内容具体到每个技术都包含哪些内容?

资料包括具体到每个技术一般包括:现有技术和市场需求背景、主要技术难题、解决难题的新技术方案、新技术的技术原理、新技术达到的目的和效果,新技术产品的生产配方、生产工艺、具体生产实施例(多组技术方案),实施例数据测试和分析,与现有产品的技术指标对比,相关工艺图或图片附图等等。

《精选》还包括每项技术的研制单位、发明人、通信地址、以及该专利重点要求保护的技术要求的核心内容。


6、《精选》中的优秀专利技术如何合法利用

对于生产型、科研型单位

A.可以掌握技术难题解决方案、掌握新技术配方、生产工艺

B.借鉴新产品工艺,利用技术保护要求范围,生产自己的产品

C.掌握竞争对手的配方,制定自己的研发策略


对于新产品转型、新产品投资、产学研对接

A.及时发现优秀技术、优秀投资产品的发源地、研制单位

B.落实可行性技术方案、项目建议书、技术产品论证

C.技术引进、技术转让、与科研单位技术对接、新产品投资

随着国际化程度高、创新机制成熟的领先企业越来越重视专利。高质量的专利是厂商研发实力的体现,是企业赢得市场竞争的法宝,在法律允许范围内,有效合理利用专利情报,会使企业新产品开发和质量提升日新月异、出类拔萃!
















2014新版《石墨烯氧化-还原新技术及配方制备精选》收录国内外优秀新技术、信息量大,配方全,是石墨材料技术改进、生产,提高产品质量,符合国家标准的新产品开发必备资料


目前,氧化石墨还原法也被认为是目前制备石墨烯的最佳方法之一。该方法操作简单、制备成本低,可以大规模地制备出石墨烯,已成为石墨烯制备的有效途径。另外该方法还有一个优点,就是可以先生产出同样具有广泛应用前景的功能化石墨烯--氧化石墨烯。氧化-还原法制备成本低廉且容易实现,而且可以制备稳定的石墨烯悬浮液,解决了石墨烯不易分散的问题。


2017新版《石墨烯氧化-还原新技术及配方制备精选汇编》重点收录了磺酸化还原氧化石墨烯的制备配方、低能耗高效还原氧化石墨烯制备石墨烯配方、易分散的石墨烯的制备配方、改性石墨烯的制备配方、氧化石墨烯的固相还原方法、利用绿色还原剂制备石墨烯配方等生产工艺优秀专利技术专利成果技术资料。


通过本《精选》您可以充分掌握国内外石墨烯氧化-还原最优秀的核心技术配方和工艺,您可以:

1、提高产品质量,改进配方,降低生产成本

2、解决石墨烯氧化-还原生产中的技术问题、应用技术问题

2、掌握科研院校最新技术成果。开阔产品开发思路,产学研对接,投资新产品

3、掌握同行业竞争对手的新产品策略,产品技术水平,市场核心产品配方


什么是精选资料,精选资料价值所在,为什么要购买《精选》技术资料


1、《精选是掌握优秀技术、好配方、好项目的必备资料

一种优秀的新技术、新配方都会给企业造成新的市场机会,可以带来更大的企业利润。在当今大数据时代,及时准确完整的技术资料收集,迅速掌握国际核心技术所在,对企业有着重要意义。


           本期《精选》资料所涉及的专利技术包括:

A.已经进入专利实质性审查的发明专利

B.已经通过国家专利实质性审查的发明专利

C.获得授权的发明专利技术

经过实质性审查的专利特点:充分具备创造性、新颖性、实用性。而且能够保证专利的质量。所以《精选》是通过严格意义上的技术检索和技术筛选汇编而成。国际新技术资料网利用所掌握的国际或内技术情报检索系统、技术分类系统、文献加工系统、知识产权法律系统为企业提供技术服务,不仅可以节省您收集重要技术资料的时间和精力,而且提高了您阅读效率,技术资料时间。据世界知识产权组织有关统计表明:若能在科研开发的各个环节中充分利用专利文献,则能节约40%的科研开发经费,同时少花60%的研究开发时间。


2、什么是专利实质审查制
即不仅进行形式审查,还要审查发明的新颖性、先进性和实用性。实质审查能够保证专利的质量,专利审查需要高水平具有专业技术的审查人员来进行。


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