日本金刚石砂轮磨具制造新技术系列资料一

《金属烧结金刚石制造工艺配方

制造工艺配方精选汇编

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金刚石砂轮磨具制造工艺配方大全
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新版说

各位读者:大家好!


       自从我公司2000年推出每年一期的超硬材料金刚石砂轮磨具系制造列新技术汇编以来,深受广大企业的欢迎,在此,我们衷心地感谢致力于创新的新老客户多年来对我们产品质量和服务的认同,由衷地祝愿大家工作顺利!


      磨料磨具磨削素有"工业的牙齿"之称,不仅与装备制造、航空航天、船舶、新能源、汽车、家电、电子信息等行业密切相关,而且已渗透到人们生活的各个方面。我国现有磨料磨具磨削生产企业2000多家;2012年工业总产值超过1000亿元。预计近两年,中国将超过美国成为世界最大的磨料磨具磨削生产国。


      2017年以来,国家提出的十大重点产业调整和振兴规划,以及新近发布的关于加快七大战略性新兴产业发展的决定,对现代高端制造业的磨切工具及其技术发展提出了更高的要求。


       为推动国内现代制造业的技术升级和产品换代,实现节能环保、减排增效和绿色制造的目标,促进国民经济的高效和持续发展。提高金刚石砂轮磨具的产品质量,我公司特推出本期新技术工艺配方汇编。


    本期所介绍的资料,系统全面地收集了近年来树脂结合剂-金刚石砂轮制造最新技术,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,这些优秀的新产品的生产工艺、技术配方非常值得我们去学习和借鉴。
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2024新版《日本金属烧结金刚石磨具制造工艺配方精选》

焼結(焼成)方法に特徴、予備焼結(焼成)に特徴、温度条件に特徴、圧力条件に特徴、雰囲気条件に特徴

地址: 北京市中国公安大学南门中企财写字楼B座415 (100038)
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日本金属焼結砥石の製造》技術資料特点:


1、生产工艺配方内容详细,实用性强

《日本金属焼結砥石の製造》收录了日本最新的-日本金属结合剂金刚石砂轮磨具专利制造工艺配方,涉及详细的制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、对现有市场产品存在问题分析、以及解决制造技术问题,质量稳定性问题,使用性能水平低的问题及具体办法等等


2、精选日本超硬磨具优秀制造商的优秀技术

《日本金属焼結砥石の製造》涉及:日本著名公司KGW公司,吴砂轮株式会社,Noritake砂轮,日本则武,株式会社迪斯科;泰珂洛是世界领先的硬质合金刀具、摩擦材料、耐磨工具和建筑工程用工具的制造商 “Tungaloy”;丰田万磨株式会社(TOYODA VAN MOPPES);三菱综合材料株式会社;Asahi Diamond Industrial,旭金刚石工业株式会社;A.L.M.T. Corp,联合材料公司;BOSCH CORP,博世株式会社,利德株式会社;日本研磨材工业株式会社;理研客乐好磨株式会社;JTEKT CORP;SHIN ETSU EHEMICAL CO LTD;NIPPON ELECTRIC GLASS CO;SHIN ETSU EHEMICAL CO LTD等优秀金属结合剂金刚石磨具专利技术全文资料


3、掌握日本最先进的金刚石砂轮磨具的必备工具资料

日本近年来在金属烧结砂轮磨具方面新产品、新技术研发方面不断取得突破,新一代高附加值的制品被不断地开发出来。在提高现有产品质量的基础上,向更高端精密的超硬材料制品方向发展。为让广大的国内企业、科研单位及时了解和掌握日本超硬材料最新技术工艺配方,国际新技术资料网特收集整理了相关专利的文献资料。


4、日本最先进的金刚石砂轮磨具配方揭秘!


《日本金属焼結砥石の製造》资料收录了日本企业研制和制造金属烧结金刚石砂轮磨具的最新专利技术全文资料,资料中包括制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、对现有市场产品存在问题分析、以及解决烧结过程能耗高,工具的质量稳定性差,使用性能水平低这些问题的具体办法等等。工艺配方详尽,技术含量高、是我国金刚石工具生产和研制企业从事高性能、高质量产品、新产品开发的重要的、必备的技术情报资料。

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

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GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所