《金属表面处理剂工艺配方系列汇编》 总目录
  金属表面前处理剂系列配方全集-16
      《国际铝合金表面处理剂制造工艺配方精选汇编》

北京恒志信科技发展公司 国际新技术资料网 电话010-6348 8305  6347 8400 传真:010-6349 7386  手机13141225688


国际新技术资料网LOGO
国际新技术资料网   独家最新推出
国际金属表面处理新技术 恒志信 国际新技术资料网

New Technology Of Metal Surface Treatment
国际表面处理剂技术资料 国际新技术资料网
部分客户名单 排名不分先后
2022新版 国际《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》
铝合金表面耐腐蚀钝化、磷化、无铬无磷皮膜剂、陶瓷转化剂 , 硅烷处理剂及涂装前处理剂配方
【资料页数】 1193页 (大16开 A4纸)(分上中下三册)

  德国183页     日本276页    美国351页    中国383页

(电子版包括:德国美国535页)

【资料内容】国际铝合金表面处理剂优秀工艺及配方

【交付方式】上海中通(免邮费)    顺丰快递 (邮费自理)

【客服热线】010-63488305 13141225688

【电子邮箱】3137420280@QQ.com

【资料服务费】

RMB1680合订本+电子版 光盘)

<a target="_blank" href="http://wpa.qq.com/msgrd?v=3&uin=&site=qq&menu=yes"><img border="0" src="http://wpa.qq.com/pa?p=2::51" alt="点击这里给我发消息" title="点击这里给我发消息"/></a>
地  址北京市中国公安大学南门中企财写字楼B座415 (100038)
电  话010-63488305  
手  机13141225688 13641360810 联系人:梅 兰 (女士)
网  址:http://www.hengzhixin.cn
Email: heng_zhi_xin@163.com      QQ:3137420280
国际新技术资料网 恒志信网
2025版《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》

2025版《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》

极紫外光刻胶(EUV光刻胶)技术:EUV光刻胶是目前最先进的光刻胶技术之一,主要用于极紫外光刻工艺,能够实现极小的线宽和高分辨率的图形转移,是制造高端芯片的关键材料例如,JSR公司在2011年就与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶东京应化(TOK)也在EUV光刻胶领域处于领先地位,其在2020年拥有EUV光刻胶51.8%的市占率。

高灵敏度和高分辨率光刻胶技术:通过优化光刻胶的化学配方和结构,提高光刻胶对光的灵敏度和分辨率,从而实现更小的图形尺寸和更高的集成度如Inpria生产的包含氧化锡的EUV光刻胶,具有良好的灵敏度,将EUV的吸收效率提升了4倍,并且可以实现更简单的制造流程和更大的工艺窗口。

多层膜光刻技术:为了进一步提高光刻分辨率,采用多层膜光刻技术,通过在光刻胶层之间增加特殊的膜层,减少光的反射和散射,提高光刻的对比度和分辨率。

  本资料是收录涉及《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》最新专利技术资料,资料中包括制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、实际应用效果,技术指标,解决的具体问题等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。


【资料内容】制造工艺及配方
【资料语种英文
【项目数量】56项
电子版】1680元(PDF文档  邮件发送)


0.00
1680.00
数量:
立即购买
加入购物车
  

极紫外光刻胶(EUV光刻胶)技术:EUV光刻胶是目前最先进的光刻胶技术之一,主要用于极紫外光刻工艺,能够实现极小的线宽和高分辨率的图形转移,是制造高端芯片的关键材料例如,JSR公司在2011年就与SEMATECH联合开发出用于15nm工艺的化学放大型EUV光刻胶东京应化(TOK)也在EUV光刻胶领域处于领先地位,其在2020年拥有EUV光刻胶51.8%的市占率。

高灵敏度和高分辨率光刻胶技术:通过优化光刻胶的化学配方和结构,提高光刻胶对光的灵敏度和分辨率,从而实现更小的图形尺寸和更高的集成度如Inpria生产的包含氧化锡的EUV光刻胶,具有良好的灵敏度,将EUV的吸收效率提升了4倍,并且可以实现更简单的制造流程和更大的工艺窗口。

多层膜光刻技术:为了进一步提高光刻分辨率,采用多层膜光刻技术,通过在光刻胶层之间增加特殊的膜层,减少光的反射和散射,提高光刻的对比度和分辨率。

  本资料是收录涉及《国际光刻胶制造工艺配方精选汇编》最新专利技术资料,资料中包括制造原料、配方、生产工艺、产品性能测试及标准、实际应用效果,技术指标,解决的具体问题等等,是企业提高产品质量和发展新产品的重要、实用、超值和难得的技术资料。


【资料内容】制造工艺及配方
【资料语种英文
【项目数量】56项
电子版】1680元(PDF文档  邮件发送)


目录

序号项目名称研制单位
1Enhanced Euv Materials, Photoresists And Methods Of Their UseROBINSON ALEX P G [GB]
JACKSON ED [US]
O'CALLAGHAN GREGORY [GB]
ROTH JOHN [US]
MCCLELLAND ALEXANDRA [GB]
LADA TOM [US]
POPESCU CARMEN [GB]
2Euv Lithography Using Polymer Crystal-Based ReticlesREKHI SANDEEP
WALLING THOMAS JOHN FARRELL
PICHUMANI PRADEEP SAILAM
3Photoresist Composition For Euv, Method For Manufacturing Same, And Method For Forming Photoresist Pattern Using SameHONG SUKWON [KR]
HWANG CHAN CUK [KR]
KIM DO WON [KR]
BYEON JIN HWAN [KR]
AHN JAE BOONG [KR]
4Pellicle For Euv Lithography And Method For Manufacturing Pillicle Film Of The SamePARK CHUL KYUN
HONG JU HEE
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
5Pellicle For Euv LithographyHONG JU-HEE [KR]
PARK CHUL-KYUN [KR]
CHOI MUN-SU [KR]
KIM DONG-HOI [KR]
6Method To Reduce Line Edge Roughness For Euv Photoresist PatternWANG XIN-KE [CN]
SHEN ZE-QING [CN]
SINGHA ROY SUSMIT [IN]
MALLICK ABHIJIT BASU [US]
BHUYAN BHASKAR JYOTI [IN]
TANG JIECONG [SG]
SUDIJONO JOHN [US]
SALY MARK [US]
7Enhanced Euv Photoresists And Methods Of Their UseROBINSON ALEX P G [GB]
JACKSON EDWARD [US]
ROTH JOHN [US]
LADA TOM [US]
O'CALLAGHAN GREG [GB]
8Organometallic Tin Clusters As Euv PhotoresistLU FENG [US]
9Euv Low Roughness Euv LithographyWISE RICHARD
SHAMMA NADER
10Enhanced Euv Photoresist And Methods Of Use ThereofROBINSON ALEX P G
JACKSON EDWARD
ROTH JOHN
LADA TOM
O 'CALLAGHAN GREG
11Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
JUNG MIN WOOK
CHOI MUN SU
12Method Of Euv LithographyCHEN TAI-YU [TW]
KHIVSARA SAGAR DEEPAK [IN]
CHIEN SHANG-CHIEH [TW]
LAM KAI TAK [SG]
YU SHENG-KANG [TW]
13Euv Composition For Semiconductor Euv Lithography And Method For Semiconductor Euv Lithography Using The SameLEE GEUN SU [KR]
LEE YEONG SEON
SEONG YEON HEE
KIM SEOK HYUN
KIM YOUNG CHAN
CHEON JONG HYEON
LEE SEUNG HYUK
14Pellicle For Euv Lithography Masks And Methods Of Manufacturing ThereofHSU PEI-CHENG [TW]
SUN TING-PI [TW]
LEE HSIN-CHANG [TW]
15Euv Metal Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofWANG SU
FANG SHUNONG
16Euv Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofWANG SU
FANG SHUNONG
17Euv/Eb Photoresist As Well As Preparation Method And Application ThereofFANG SHUNONG
WANG SU
TANG CHEN
18Euv Photomask And Manufacturing Method Of The SameHSU FENG YUAN [TW]
SHEN TRAN-HUI [TW]
HSU CHING-HSIANG [TW]
19Euv Euv Dose Reducing Layers Related Structures And Methods And Systems For Their ManufactureFATEMEH DAVODI
PAUL CHATELAIN
CHARLES DEZELAH
20Method Of Forming Carbon-Based Spacers For Euv Photoresist PatternsWANG XINKE
SHEN ZEQING
ROY SUMEET SINGH
MALLIK ABHIJIT BASU
BHUYAN BHASKAR JYOTI
TANG JIECONG
SUDIJONO JOHN
SALY MARK
21Zirconium-Coated Ultra-Thin, Ultra-Low Density Films For Euv LithographyLIMA MARCIO D [US]
GRAHAM MARY VIOLA [US]
UEDA TAKAHIRO [US]
22Euv Membrane For Euv Lithography And Manufacturing Method For The SameYU LAN
SEO KYOUNG WON
PARK JIN SU
YANG SEONG JU
HONG SEONG GYU
LEE HWA CHOL
KIM CHEONG
KIM KYOUNG SOO
YUN WOO HYUN
CHO SANG JIN
LEE DONG HOON
LEE SO YOON
PARK SEONG HWAN
KIM YONG SU
KANG HONG GU
CHOI JAE HYUCK
23Euv Euv An Euv Pellicle Frame And An Euv Pellicle Using ItHORIKOSHI JUN [JP]
24Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
25Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Euv Photomask Using Reinforeced Graphene MembraneKIM YONG KI [KR]
26Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Protecting Euv Photomask Using Reinforeced PadKIM YONG KI [KR]
27Euv The Manufacturing Method Of Pellicle For Euv Photomask Using Reinforeced Graphene MembraneKIM YONG KI [KR]
28Implant Into Euv Metal Oxide Photoresist Module To Reduce Euv DosePRASAD RAJESH [US]
LIN YUNG-CHEN [US]
HUANG ZHIYU [US]
WANG FENGLIN [US]
LANG CHI-I [US]
HWANG HOYUNG DAVID [US]
AREVALO EDWIN A [US]
SHIM KYUHA [US]
29Method Of Manufacturing Euv Photo MasksLEE HSIN-CHANG [TW]
HSU PEI-CHENG [TW]
LIEN TA-CHENG [TW]
WANG TZU YI [TW]
30Blankmask And Photomask For Euv Lithography With Backside Conductive LayerWOO MI KYUNG
PARK MIN KYU
YANG CHUL KYU
31Euv Euvextreme Ultraviolet Mask And Method For Manufacturing The SameJANG SUNG WOO
LEE SUN PYO
JUNG EUI HAN
32Euv The Manufacturing Method Of Graphene Membrane Pellicle For Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
33Enhanced Euv Photoresist Including A Core Tris(4-Hydroxyphenyl)Methane Group And Having Improved Sensitivity (Photosensitivity), Resolution (Line Width Roughness), Or BothROBINSON ALEX P G [GB]
MCCLELLAND ALEXANDRA [GB]
O '' CALLAGHAN GREG [GB]
JACKSON ED [US]
NGUYEN VAN HUY [GB]
MELONI FERNANDA [IT]
34Phase Shift Blank Mask And Photomask For Euv LithographyKIM YONG-DAE
LEE JONG-HWA
YANG CHUL KYU
35Methods For Making Euv Patternable Hard MasksWU CHENGHAO
TIMOTHY WILLIAM WEIDMAN
KATIE NARDI
36Pellicle For An Euv Lithography Mask And A Method Of Manufacturing ThereofCHAO TZU-ANG [TW]
CHENG CHAO-CHING [TW]
WANG HAN [TW]
37Pellicle For Euv LithographyHONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
CHOI MUN SU
KIM DONG HOI
38Reflective Mask Blank For Euv Lithography, Mask Blank For Euv Lithography, And Manufacturing Methods ThereofAKAGI DAIJIRO [JP]
KAWAHARA HIROTOMO [JP]
UNO TOSHIYUKI [JP]
ISHIKAWA ICHIRO [JP]
SAKAKI KENICHI [JP]
39Thin Film For Euv Lithography Mask And Method Of Manufacturing SameXU BEICHENG
LI WEIHAO
LI HUANLING
LI XINCHANG
LIN JINXIANG
40Euv Light Generation System And Production Method Of Electronic DeviceNISHIMURA YUICHI
UENO YOSHIFUMI
41Thin Film For Euv Lithography Mask And Method Of Manufacturing SameSON JUNG-PIL
XU BEICHENG
LI XINCHANG
42Euv Euv Euv Euv-Level Substrate Euv Mask Base Euv Mask And Method Of Manufacturing SameJI MINGHUA
DONG YUHU
HUANG ZAOHONG
43Euv Photomask And Manufacturing Method ThereofXUE WENZHANG
LIAN DACHENG
LI XINCHANG
44Pellicle For Euv Lithography With Cnt Film And Method For Forming Film Of The SameCHOI MUN SU
HONG JU HEE
PARK CHUL KYUN
KIM DONG HOI
45Detection Method Of Euv Pellicle StatusLIU YEN-HAO [TW]
WANG SHAO-HUA [TW]
ZHANG ZHENG-HAO [TW]
LIN FAN-CHI [TW]
KUO CHUEH-CHI [TW]
CHEN LI-JUI [TW]
LIU HENG-HSIN [TW]
46Euv The Forming Method Of Graphene For Pellicle Membrane Of Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
47Euv The Forming Method Of Graphene Membrane To Have Capping Layer For Pellicle Of Extreme Ultra Violet LithographyKIM YONG KI [KR]
48Euv Euv Reflection-Type Mask Blank For Euv Lithography Reflection-Type Mask For Euv Lithography And Manufacturing Methods ThereforAKAGI DAIJIRO [JP]
KAWAHARA HIROTOMO [JP]
SASAKI KENICHI [JP]
ISHIKAWA ICHIRO [JP]
UNO TOSHIYUKI [JP]
49Extreme Ultraviolet Lithography Method And Euv PhotomaskLEE CHIEN-MIN [TW]
CHEN YEN-LIANG [TW]
LIN SHY-JAY [TW]
CHEN LEE-FENG [TW]
TAI KUO LUN [TW]
50Phase Shift Blankmask And Photomask For Euv LithographyPARK MIN-KWANG [KR]
PARK MIN-KYU [KR]
WOO MI-KYUNG [KR]
YANG CHUL-KYU [KR]
KIM YONG-DAE [KR]
51Blankmask For Euv Lithography With Absorbing Film, And Photomask Fabricated With The SamePARK MIN-KYU [KR]
WOO MI-KYUNG [KR]
PARK MIN-KWANG [KR]
YANG CHUL-KYU [KR]
52Membrane For Euv LithographyHOUWELING ZOMER SILVESTER [NL]
GHIASI KABIRI MAHNAZ [NL]
GIESBERS ADRIANUS JOHANNES MARIA [NL]
BERGERS LAMBERTUS IDRIS JOHANNES CATHARINA [NL]
53Preferential Infiltration In Lithographic Process Flow For Euv Car ResistALVA GABRIELA [US]
HAN ZHEN-XING [CN]
SACHAN MADHUR [IN]
LANG CHI-I [US]
ZHOU LIN [CN]
LIU LEQUN [US]
KAZEM NASRIN [US]
54Enhanced Ultra-Thin, Ultra-Low Density Films For Euv Lithography And Method Of Producing ThereofLIMA MARCIO D [US]
UEDA TAKAHIRO [US]
55Pellicle For An Euv Lithography Mask And A Method Of Manufacturing ThereofLIN YUN-YUE [TW]
56Methods And Related Systems For Depositing Euv Sensitive FilmsPATEL KISHAN ASHOKBHAI [IN]
TOMCZAK YOANN [FR]
DEZELAH CHARLES [US]
ZYULKOV IVAN [RU]
DE ROEST DAVID KURT [BE]
GIVENS MICHAEL [US]
PIUMI DANIELE [IT]





国际优秀工艺配方  高端产品生产 必备资料

国际新技术《铝及合金表面处理剂配方与处理工艺大全》

企业生产高端产品化学处理剂 必备资料


       国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》包括大量国内外优秀技术,涉及德国、日本、美国以及国内新型绿色环保的材料表面处理技术- 硅烷化处理技术、无铬钝化剂配方、铝合金层上优异的耐久性水溶液钝化液配方,铝材化学氧化(钝化剂)成膜剂配方适用于铝材和铝合金的化学氧化处理剂配方、优良的漆底钝化膜钝化剂配方、铝及铝合金新型高分子无铬钝化剂成膜剂配方、铝合金表面超疏水磷化材料配方、国内优秀技术可与德国汉高的Alodine 5200和4595(无铬皮膜剂)媲美的铝合金无铬钝化剂配方(酸性盐雾试验检测可以达到GB5237.4-2008规定的1000小时标准),用于6061铝合金表面的氟钛酸盐转化液配方配方、铝及铝合金表面用前处理剂配方、提高膜硬度的铝型材无铬钝化处理液配方、铝型材稀土硅烷钝化处理液配方以及表面处理工艺等等。


       通过这些优秀的技术工艺和配方,您可以:

     1、解决目前金属表面处理的技术难题、环保难题、排放难题、防腐蚀性能难题、简化工艺、降低成本;

     2、掌握表面处理工艺、配方最新发展方向,国际最新技术研究热点 ,国际核心技术所在,掌握优秀处理工艺和配方,为提高产品质量做好技术准备;

     3、资料中每项技术都介绍了大量背景技术资料,如:目前国际及欧盟RoHS环保政策、目前技术研究状况分析、现有技术存在优缺点分析,改进方案工艺、配方原理、配方原料说明、配方优选方案、配方实例、产品及表面处理性能测试方法、测试标准、产品性能测试数、盐雾试验数据等等。这些宝贵优秀技术资料是您市场决策依据,包括新产品开发,投资新产品、以及制定公司新产品开发策略、制定产品知识产权策略的好帮手!

模仿创新   企业成长的良师益友

国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》

企业模仿创新的最佳选择


       模仿创新成功的典型是日本,有的专家称“日本的专利大多数是仿制专利”日本正是通过模仿创新而提高了技术水平,实现技术与经济跨越式发展,一跃而成为世界经济强国。

       企业将模仿学习作为重要战略可以赶超技术领先者。模仿创新多数是在率先创新者具有知识产权的科技成果基础上的“模仿”,是在别人工作基础上的进一步努力,也被称之为二次创新。模仿也是一种学习过程,可以提高技术创新的起点和水平,因此“模仿”应当也必然是一个技术创新能力不断提高的过程。


       虽然近20多年我国综合国力提高很快,但是经济水平总体上仍较为落后,是一个发展中国家,多数行业技术水平落后于国际先进水平15年到20年。从技术创新的角度,“模仿”的空间还很大,根据上节的博弈分析,“模仿”是一个理性选择。而日益激烈的现实竞争,客观上也要求我们运用好模仿创新尽快提高技术创新能力。


       国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》中世界排名领先国际公司的优秀技术,特别是德国、日本、美国的金属表面处理剂专业公司以及国内科研单位、表面处理技术公司的优秀技术。是全面反映国际锌合金表面处理技术发展和工艺配方的重要技术资料,对我国从事金属表面处理、金属制品生产单位的新产品开发、提高产品质量将起到很大的帮助作用!

节省科研经费   避免闭门造车走弯路

国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》

节省科研经费 提高研发效率 避免闭门造车 少走弯路


      目前,国内许多企业在没有充分调查市场、技术情报收集与分析的情况下,盲目研制一些新产品,不仅造成人力、物力、财力的浪费,而且可以与以往的技术相比,并不是先进的技术,结果其产品在市场上销售不畅。


      国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》可以让您充分了解和掌握铝合金表面处理国际最领先的技术,让您的产品开发“站在巨人的肩膀上",避免科研经费浪费和重复劳动,借鉴这些优秀技术,开发出技术先进且有市场潜力的产品;同时还可以从中了解竞争对手的发展动态,以便采取相应的应对措施。根据世界知识产权组织的预测,充分利用专利文献,可以节省40%的科研经费和60%的研究周期。


      国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》还可以让您了解这个专业领域内技术活跃的国际优秀企业的技术水平,有助于您挑战国际高端产品,参与未来的技术、经济和市场范围的竞争等。

       虽然近20多年我国综合国力提高很快,但是经济水平总体上仍较为落后,是一个发展中国家,多数行业技术水平落后于国际先进水平15年到20年。从技术创新的角度,“模仿”的空间还很大,根据上节的博弈分析,“模仿”是一个理性选择。而日益激烈的现实竞争,客观上也要求我们运用好模仿创新尽快提高技术创新能力。


       国际新技术《铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》中世界排名领先国际公司的优秀技术,特别是德国、日本、美国的金属表面处理剂专业公司以及国内科研单位、表面处理技术公司的优秀技术。是全面反映国际锌合金表面处理技术发展和工艺配方的重要技术资料,对我国从事金属表面处理、金属制品生产单位的新产品开发、提高产品质量将起到很大的帮助作用!

国际金属表面处理技术资料 现货发行  欢迎订购

北京恒志信科技发展公司 国际新技术资料网  电话:010-6348 8305   传真:010-6349 7386 手机:13141225688

国内 金属表面处理剂 配方资料汇编 系列目录

清洗、除锈、磷化、钝化前处理剂系列

铝阳极氧化技术配方系列、国际铝合金处理剂系列

01.《金属表面-除油、除锈、清洗剂制造技术工艺配方大全》

09.《铝合金着色处理专利新技术工艺配方精选汇编》

02.《金属表面磷化液制造新技术工艺配方大全》

10.《铝阳极氧化前处理(剂)专利工艺配方精选汇编》

03.《无渣磷化液、陶化剂、硅烷处理剂制造技术工艺配方汇编》

11.《铝阳极氧化电解液专利工艺配方精选汇编》

04.《水性、环保切削液制造新技术工艺配方大全》

12.《铝阳极氧化封闭剂专利工艺配方精选汇编》


化学镀、热浸镀工艺配方系列、国际钝化剂系列

国际铝合金清洗剂、磷化液、钝化液处理剂系列

05.《金属表面热镀锌、热镀锌合金制造技术工艺配方大全》

13.《铝合金清洗剂制造工艺配方精选汇编》

06.《化学镀镍液配方、化学镀镍工艺技术资料大全》

14.《铝及铝合金磷化液、钝化液、皮膜剂制造工艺配方精选汇编》

07.《化学镀铜液配方、化学镀铜工艺技术资料大全》

15.《铝及铝合金表面除灰剂制造工艺配方精选汇编》

08.《国际锌及锌合金表面处理剂配方与处理工艺大全》(环保钝化剂配方)

16.《国际铝及铝合金表面处理剂配方与处理工艺大全》(国际钝化剂配方)
以上资料  现货发行 欢迎邮购!
新版说


各位读者:大家好!


       自从我公司2000年推出每年一期的金属表面处理新技术、新工艺汇编以来,深受广大企业的欢迎,在此,我们衷心地感谢致力于创新的新老客户多年来对我们产品质量和服务的认同,由衷地祝愿大家工作顺利!


       国家提出的十大重点产业调整和振兴规划,以及新近发布的关于加快七大战略性新兴产业发展的决定,对现代高端制造业的金属表面处理及其技术发展提出了更高的要求。


       为推动国内现代制造业的技术升级和产品换代,实现节能环保、减排增效和绿色制造的目标,促进国民经济的高效和持续发展。提高金属表面处理剂质量,我公司特推出本期新技术工艺配方汇编。


    本期所介绍的资料,系统全面地收集整理了国际最新的金属表面化学处理剂最新技术,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多 优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,这些优秀的新产品的生产工艺、技术配方非常值得我们去学习和借鉴。
《金属表面前处理新技术》是恒志信公司主办发行的新技术介绍宣传刊物,每年发行一次,二十年如一日,深受广大读者欢迎。 见右图
国际新技术资料网
北京恒志信科技发展有限公司  简介


国际新技术资料网由北京恒志信科技发展有限责任公司组建,是专门致力于企业经济信息、科技信息开发、加工整理、市场调查和信息传播的专业化网站,网站发展宗旨是:致力于我国信息产业的建设,及时向企业、科研部门提供最新的国际最领先技术的科技信息情报,有效服务于企业新产品开发、可行性论证和推广。


网站主要提供包括美国、日本、韩国、欧洲各国的专利技术资料、世界排名企业最新技术情报资料收集整理、数据加工、资料翻译,接受企业、科研院所委托专题情报服务。网站主要栏目包括世界科技发展热点的新材料、石油化工、精细化工等。

国际新技术资料网拥有一支工作态度认真、业务基础扎实、团结协作意识强、专业技术水平过硬的员工队伍。我们以质量、信誉、完善的售后服务为准则,以优质的服务、雄厚的技术力量、先进的情报手段服务于广大客户。公司和自2000年成立以来,与有关科研单位、报社、信息中心共同合作为近万家企业单位、科研院校提供了有效的专题资料服务,得到了广大的企业家、科研工作者的好评。 

发展无止境,创新无止境。国际新技术资料网以不断追求创新和技术进步为动力,以完善质量保证和良好服务为根本,以诚实、信誉为宗旨,竭诚与各界朋友、新老客户诚信合作,共创辉煌!

《金属表面处理剂新技术》

深受读者欢迎新技术刊物