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新版说明

各位读者:大家好!   

         自从我公司2000年推出每年一期的金属表面处理新技术、新工艺汇编以来,深受广大企业的欢迎,在此,我们衷心地感谢致力于创新的新老客户多年来对我们产品质量和服务的认同,由衷地祝愿大家工作顺利! 日前,国家提出的十大重点产业调整和振兴规划,以及新近发布的关于加快七大战略性新兴产业发展的决定,对现代高端制造业的金属表面处理及其技术发展提出了更高的要求。为推动国内现代制造业的技术升级和产品换代,实现节能环保、减排增效和绿色制造的目标,促进国民经济的高效和持续发展。提高金属表面处理剂质量,我公司特推出本期新技术工艺配方汇编。  

        镀膜工艺以其镀膜层优良的外观和耐腐蚀性在工业领域有着广泛的应用。如在不锈钢基材上电镀含铜、镍、金、钛等金属的膜层,因所镀膜层具有较高的硬度、良好的耐磨性以及较高的化学稳定性,可大大提高不锈钢基材的外观及使用性能和抗腐蚀抗氧化性。通常在以下情况下需要对镀膜层进行退镀:在生产过程中由于偶然因素,所镀的膜层不符合品质要求,为减少损失,节约成本,需要远除所述膜层,丽对外引线进行重新镀膜。
 
       目前,业界去除镀膜的方法主要为电解退镀法,然而,电解退镀法的生产耗能大,对治具设计的精度要求较高,不适合大批量生产。另外,电解退镀法仅能去除金属基材上的镀膜,对于金属与塑胶的复合件,其无法去除塑胶件上的镀膜。而退镀液的出现则解决了这一难题, 退镀液的使用不仅避免了电解退镀法中耗能较大的缺点,并且操作快捷简便,可以适用于大批量生产的退镀作业。然后,现今常用的退镀液也存在容易产生废气污染环境(例如NO) 和酸碱性较高腐蚀金属器件的表面的问题,所以急需要研究一种环保性好且腐蚀性低的退镀液供人们生产生活使用。
    

        本期所介绍的资料,系统全面地收集整理了最新的金属表面处理退镀最新技术,包括:优秀的专利新产品,新配方、新产品生产工艺的全文资料。其中有许多优秀的新技术在实际应用巨大的经济效益和社会效益,这些优秀的新产品的生产工艺、技术配方非常值得我们去学习和借鉴。


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《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

《GaN基晶体管制造工艺配方精选汇编》

GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
【电  子 版】1480元(PDF文档 邮件传送)

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GaN作为第三代半导体由于具有高电子饱和漂移速率,宽禁带,耐高温,高击穿场强等优点,是固态微波功率器件和功率电子器件未来的发展方向。

【内容介绍】 本资料收录了国内外最新GaN基晶体管制造工艺配方,最新专利技术新成果全文资料,工艺配方详尽,技术含量高、从事高性能、高质量、GaN基晶体管研究生产单位提高产品质量、开发新产品的重要情报资料。


【资料内容】生产工艺、配方
【资料数量】62项
【出品单位】国际新技术资料网
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目录

1一种GaN基晶体管及其制作方法和应用厦门市三安集成电路有限公司
2一种GaN晶体管结构及其制备方法安徽大学
3GaN晶体管与栅极驱动器的合封结构及合封方法上海烨映微电子科技股份有限公司
4具有倾斜栅极场板的GaN半导体功率晶体管和制造方法英飞凌科技加拿大公司
5基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构西安电子科技大学
6具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管北京大学
7一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法湖北九峰山实验室
8一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管东南大学
9基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
10p-GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法东南大学;无锡华润上华科技有限公司
11具有阶梯式金属场板的GaN半导体功率晶体管及制造方法英飞凌科技加拿大公司
12常关型极化超结GaN基场效应晶体管和电气设备株式会社POWDEC
13GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
14GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法京东方华灿光电(苏州)有限公司
15一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
16一种凹槽型肖特基源p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
17一种具有P-GaN源极扩展的GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
18一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管中国电子科技集团公司第五十五研究所
19具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法重庆邮电大学
20一种N面GaN/ScAlGaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
21一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法以及GaN基高电子迁移率晶体管西安交通大学
22具有主GaN功率晶体管和GaN电流感测晶体管的GaN管芯英飞凌科技奥地利有限公司
23一种单片集成的全GaN共源共栅场效应晶体管及其制备方法西安电子科技大学
24具有增强型折叠形状的AlGaN/GaN MIS高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
25具有高阈值电压的高压纵向GaN高沟道电子迁移率晶体管电子科技大学
26一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法天津市滨海新区微电子研究院
27一种GaN基混合栅增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法北京大学
28一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管长沙理工大学
29一种具有P型GaN栅增强型GaN晶体管结构及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
30一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管江苏希尔半导体有限公司;乐山希尔电子股份有限公司;乐山嘉洋科技发展有限公司
31具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法中国科学院半导体研究所
32一种基于平面斜栅结构的高线性GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
33基于Fin结构的GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学
34一种具有肖特基岛结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
35一种具有埋层结构的抗单粒子P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
36一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法中国科学院宁波材料技术与工程研究所
37一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
38一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
39p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法无锡先瞳半导体科技有限公司
40一种高线性度GaN晶体管及制备方法厦门市三安集成电路有限公司
41具有垂直AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法江苏芯港半导体有限公司
42一种具有n-GaN二次外延层的GaN基高电子晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
43降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管及其制备方法南京大学
44一种抗单粒子加固的P-GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法中国空间技术研究院
45一种具有GaN基多沟道凹槽MIS结合PN结栅的垂直晶体管及其制作方法上海格晶半导体有限公司
46一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
47一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
48提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管中国科学院半导体研究所
49GaN衬底晶体管器件及其制备方法浙江芯科半导体有限公司
50具有高功率优值与优异导通特性的GaN场效应晶体管江苏芯唐微电子有限公司
51一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
52GaN基增强型功率晶体管中国科学院微电子研究所
53一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管重庆邮电大学
54结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法西安电子科技大学
55GaN基增强型功率晶体管的制备方法捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所
56基于离子注入的抗单粒子p-GaN晶体管及其制备方法西安电子科技大学
57基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法西安电子科技大学
58基于原位生长MIS结构的P-GaN高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
59GaN场效应晶体管中国科学院半导体研究所
60一种倾斜式GaN HEMT集成散热晶体管及其制备方法深圳大学
61基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法西安电子科技大学
62GaN基高电子迁移率晶体管、欧姆金属电极及其制备方法中国科学院微电子研究所


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